二极管(nw).ppt

“最大的奖励就是享受过程” * 现代电子线路（上） 主讲：王建民 余道杰 宋艳艳 联系4 第7章 直流稳压电源（7.4～7.5） 第10周 4 第6章 信号发生电路（6.3～6.4） 第9周 4 研讨课 第6章 信号发生电路（6.1） 第8周 4 第5章 负反馈与集成运放（5.4～5.5） 第7周 4 第5章 负反馈与集成运放（5.2～5.3） 研讨课 第6周 4 第4章 集成运算放大器 （4.1～4.3、4.5、5.1） 第5周 4 第2章 BJT及其放大电路（2.6～2.8） 研讨课 第4周 4 第2章 BJT及其放大电路（2.3～2.5） 第3周 4 第2章 BJT及其放大电路（2.1～2.2） 研讨课 第2周 4 第1章 PN结、二极管（1.1～1.2） 二极管及其基本电路（1.3～1.4） 第1周 学 时 章节名称或讲授主要内容 授课周次 §1.1 PN结及其非线性伏安特性 1.1.1 本征半导体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 第一章 二极管及其电路分析 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子是什么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 1.1.3 PN 结 1）PN结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 2） PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。 － － － － + + + + R E 一、PN 结正向偏置 内电场 外电场 变薄 P N + _ 内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。 二、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 N P + _ 内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 R E 1.1.3 PN结的单向导电性 PN结V-I 特性表达式 其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 1.1.4 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。 齐纳击穿：高掺杂情况下，耗尽层很窄，外加电压宜于形成强电场，而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚形成电子－空穴对，致使电流急剧增加。 雪崩击穿：如果搀杂浓度较低，不会形成齐纳击穿，而当反向电压较高时，能加快少子的漂移速度，从而把电子从共价键中撞出，形成雪崩式的连锁反应。? 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 1.1.4 PN结的反向击穿 1.1.5 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 扩散电容：当PN结正偏时，扩散运动使多数载流子穿过PN结，在对方区域PN结附近有高于正常情况时的电荷积累，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电压大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 1.2.5 PN结的电容效应 (2) 势垒电容CB 势垒电容：当PN结反偏时，，反向电压变化就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 1.2.1 二极管及其主要参数 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型