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电子技术基础模拟部分第五康华光期末考试重点详解
模电分析课程内容总结二极管电路3二极管电路的简化模型分析方法1.理想模型(idealdiode)当电源电压远比二极管的管压降大时,利用此模型作近似分析。42.恒压降模型(offsetmodel)二极管导通后,认为其压降是恒定的,典型值为0.7V,只有当二极管的电流大于等于1mA时,才是正确的。vDiD二极管电路的简化模型分析方法3.限幅电路有一限幅电路如图所示,R=1k,VREF=3V,二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解一下两问:(1)vI=0V、4V、6V时,求相应的输出电压vO的值;(2)当vI=6sinwt(V)时,绘出相应的输出电压波形.+5VvI1vI2VCC4.7kvOVo=?(1)vI1=0V、vI2=0V(2)vI1=0V、vI2=5V(3)vI1=5V、vI2=5V(4)vI1=5V、vI2=0V晶体管放大电路8基本共射极放大电路的工作原理根据直流通路可知:采用该方法,必须已知三极管的值。一般硅管VBE=0.7V,锗管VBE=0.2V。a.静态(直流工作状态)9基本共射极放大电路的工作原理b.动态输入信号不为零时,放大电路的工作状态,即交流工作状态耦合电容:通交流、隔直流直流电源:内阻为零直流电源和耦合电容对交流相当于短路11(2)放大电路指标分析①静态工作点射极偏置电路②电压增益输出电阻当时,输入电阻场效应管电路MOS放大电路根据求得的VDS判断FET工作在饱和区或可变电阻区1.直流偏置及静态工作点的计算(1)简单的共源极放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算(2)带源极电阻的NMOS共源极放大电路当NMOS管工作在饱和区voRvigRdRg1||Rg2sdRsvs+-小信号模型分析18直流偏置电路.分压器式自偏压电路可解出Q点的VGS、ID计算Q点:已知VP,由VDS=VDD-ID(Rd+R)再求:JFET放大电路19动态指标分析(1)求电压放大倍数(2)求输入电阻(3)求输出电阻iRJFET放大电路的小信号模型分析法运放电路基本线性运放电路虚假短路由理想运放的参数可知:两输入端的电位约相等,称为虚短两输入端的电流约为零,称为虚断高输入电阻差分电路如图,求输出电压表达式。由叠加定理:当R1=R21时与单级差放电路相比,由于第一级是同相输入放大电路,输入电阻为无穷大反馈电路24反馈1.反馈(feedback)输出信号反馈放大电路的输入信号反馈信号基本放大电路的输入信号(净输入信号)–+xIxFxO基本放大电路AxID反馈网络F25电压串联电压并联电流串联电流并联电压并联负反馈iiiidiffRLR+-VsiRsvoVoltage-shuntnegativefeedback电流串联负反馈VV+idv-fRfvRLviRssvoiCurrent-seriesnegativefeedback电流并联负反馈动画演示Current-shuntnegativefeedback电流并联负反馈T1CCV1R2RsiT23RRb1ioiCurrent-shuntnegativefeedbackRsvo+例电压并联负反馈311.镜像电流源(mirrorcurrentsources)BJT电流源电路IO与IREF相等,构成镜像关系,改变R值,可以获得不同的IO,不受T2负载变动的影响较小时,IB对IREF的分流作用影响镜像对称度。若需减小输出电流,必要求R的值很大动态输出电阻集成运放332.微电流源(widlarcurrentsource)BJT电流源电路利用发射结电压对集电极电流的影响作用。T2的射极电阻使其发射结电压减小,从而减小其集电极电流IC2342.微电流源(widlarcurrentsource)BJT电流源电路例题:VCC=30V,现要求IC2=10μA。若采用镜像电流源:352.微电流源(widlarcurrentsource)BJT电流源电路选Re2=11.97kΩ,利用公式:若采用微电流源:代入数据,363.高输出阻抗电流源BJT电流源电路威尔逊电流源电路利用电流负反馈原理来进一步提高镜像输出电流的温度稳定性和增大动态输出电阻A1、A3为T1、T3得相对结面积当温度或负载变化使IO(IC2)增大时,IE2随之增大,IC3及其镜像电流IC1亦随之增大,促使VC1(VB2)减小、IB2减小,IO减小,稳定了IO37电流源作有源负载BJT电流源电路IREFT2T3T1RvOvi+VCC可使电路在不提高电源电压的条件下,获得较高的电压增益与较大的动态范围有源负载是模拟集成电路的重要特征。采用有源负载的运放,有时中间只需两级放大,就可以满足高增益的要求。这样,放大器级数减少,有利于提高多级放大器的稳定性镜像电流源作为T1的集电极负载38射极耦合差分式放大电路1.基本电路动画演示射极耦
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