第20讲 章 半导体及二极管(2010年新版).docVIP

第2篇 电子学 第10章 半导体及二极管 大纲要求：掌握二极管和稳压管特性、参数 了解载流子，扩散，漂移；PN结的形成及单向导电性 10.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂质的化合价不同，杂质半导体分为N型和P型两大类。 （1）N型半导体 在4价元素的硅（或锗）晶体中，掺入微量的5价元素磷（或砷、锑等）后，磷原子将散布于硅原子中，且替代了晶体点阵中某些位置上的硅原子。 通常，掺杂所产生的自由电子浓度远大于本征激发所产生的自由电子或空穴的浓度，所以杂质半导体的导电性能远超过本征半导体。显然，这种半导体中自由电子浓度远大于空穴浓度，所以称电子为多数载流子（majority carrier，简称多子），空穴为少数载流子（minority carrier，简称少子）。因为这种半导体的导电主要依靠电子，所以称为Ｎ型半导体或电子型半导体。 （2）P型半导体在硅（或锗）的晶体中掺入微量的3价元素硼（或铝、铟等）后，杂质原子也散布于硅原子中，且替代了晶体点阵中某些位置上的硅原子。 在这种半导体中，空穴是多子，自由电子是少子，它的导电主要依靠空穴，因此称为P型半导体或空穴型半导体。 10.1.3 半导体中的两种电流 （1）漂移电流：???自由电子和空穴在电场作用下的定向运动所形成的电流。 （2）扩散电流：同一种载流子从浓度高处向浓度地处扩散所形成的电流称为扩散电流。 10.1.4 PN结 （1）PN结的形成P区和N区交界面处形成的区域称为PN结。形成原因主要有以下三个：①载流子的浓度差引起多子的扩散 ；②复合使交界面形成空间电荷区 (耗尽层)③扩散和漂移达到动态平衡 （2）PN结的单向导电性加在PN结上的电压称为偏置电压。若P区接高电位，N区接低电位，称PN结外接正向电压或PN结正向偏置，简称正偏；反之，称PN结外接反向电压或PN结反向偏置，简称反偏。; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 10.2 半导体二极管 10.2.1 二极管的结构及类型 构成：PN + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号：阳极（正极） 阴极（负极）分类：1.根据材料?? 硅二极管、锗二极管2.根据结构?? 点接触型、PN面接触型PN结面积大，用于低频大电流整流电路 平面型二极管由一个PN结构成，具有单向导电性。 当外加正向电压小于Uth时，外电场不足以克服PN结的内电场对多子扩散运动造成的阻力，正向电流几乎为零，二极管呈现为一个大电阻，好像有一个门坎，因此将电压Uth称为门槛电压(又称死区电压)。二极管电流iD随外加于二极管两端的电压uD的作用而变化的规律，称为二极管的伏安特性曲线。如图所示： 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 正向特性：u0的部分称为正向特性0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压；当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右 反向特性：u0的部分称为反向特性。VBR＜V＜0时，（绝对值）反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 反向击穿：V≥VBR时，（绝对值）反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。雪崩击穿 齐纳击穿势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 1、最大整流电流 IF：是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl最大整流电流为16mA。2、反向击穿电压 VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl最高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。3、反向电流 IR：指管子末击穿时的反向电流， 其值愈小，则管子的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。4、极间电容 CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容，在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态，其极间电容产生的影响效果也不同。　　二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压，否则将容易损坏管子 10.2.4 二极管电路的模型分析法 （1）理想模型--理想的开关　 图中