全国20104月高教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234.docVIP

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全国20104月高教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234.doc

全国20104月高教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234

全国2010年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码:02234 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.N型杂质半导体中,多数载流子是( ) A.正离子 B.负离子 C.空穴 D.自由电子 2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U为( ) A.5V B.+5V C.+10V D.+15V 3.测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位,如题3图所示,则可判定该管处在( ) A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.不确定状态4.测得某放大状态的晶体三极管,各管脚的电位如题4图所示,则可判定该管为( ) A.PNP型管,①是e极 B.PNP型管,③是e极 C.NPN型管,①是e极 D.NPN型管,②是e极 5.下列基本放大电路中有电压放大作用无电流放大作用的是( ) A.共射极放大电路 B.共集电极放大电路 C.共基极放大电路 D. 共源极放大电路 6.题6图所示特性曲线是( ) A.P沟道增强型管的转移特性 B.P沟道耗尽型管的转移特性 C.N沟道增强型管的转移特性 D.N沟道耗尽型管的转移特性 7.为了使输出

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