第01章半导体中的电子状态--2015.09.07研讨.ppt

第01章 半导体中的电子状态 4. Si1-xGex合金的能带 Vegard 定律 (0? x ?1) Si1-xGex 与 Si 的晶格失配为 第01章 半导体中的电子状态 Si1-xGex合金的能带特点 间接带隙 当 x ~0?1.0, 能带结构从 Si 的渐变到 Ge 的 x ? 0.85，能带结构与 Si 的类似 0.85 ? x ?1.00, 能带结构与 Ge 的类似 在 Si 中 X 点二度简并，而Si1-xGex在 X 点 简并消失 第01章 半导体中的电子状态 赝晶（共格）生长 用分子束外（MBE）延法，在Si上外延生 长Si1-xGex合金薄膜，当外延层厚度在适当的范 围时，晶格的失配可通过Si1-xGex合金层的应变 补偿或调节，则得到无界面失配的Si1-xGex合金 薄膜。 第01章 半导体中的电子状态 无应变的体Si1-xGex合金 的禁带宽度（4.2K） 第01章 半导体中的电子状态 应变Si1-xGex合金的禁带宽度 改变 Ge 组分 x 和应变的大小，则可调整 应变Si1-xGex合金的禁带宽度。 第01章 半导体中的电子状态 应变和无应变的Si1-xGex 的Eg与Ge 组分的关系 0 20 40 60 80 100 Ge 组分 x (%) 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 禁带宽度 (eV) 2 3 应变的 无应变 轻空穴带 重空穴带 SiGe/Si应变 层超晶格材料 新一代通信 第01章 半导体中的电子状态 5. 宽禁带半导体材料（Eg?2.3）的能带 SiC、金刚石、II族氧化物、 II族硫化物、 II族硒化物、III氮化物及其合金 ?高频、高功率、高温、抗辐射和高密度 集成的电子器件 ?蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探 测器件 第01章 半导体中的电子状态 SiC的晶格结构和能带 同质多象变体（同质多型体）： 在不同的物理化学环境下，形成两种或两 种以上的晶体，这些成分相同，形态、构造和 物理性质有差异的晶体称为 ~ 。 SiC的多象变体约 200 多种。 第01章 半导体中的电子状态 结构的差异使 SiC 的禁带宽度不同 ?－SiC: 立方晶体结构的 SiC 变体 ?－SiC: 六方和菱形晶体结构的 SiC 变体 第01章 半导体中的电子状态 ?－SiC 晶体的能带特点 间接带隙 导带极小值在 X 点（X1c） 价带极大值在 ? 点（?15v） 第01章 半导体中的电子状态 0.40 0.44 0.48 2 4 6 8 10 12 晶格常数 a(nm) 能量 E(eV) X1c L1c ?15c ?1c 压力显 著改变 能带结 构 ?－SiC 的能隙与晶格常数 a 的关系 第01章 半导体中的电子状态 GaN, AlN 的晶格结构和能带 III族氮化物： GaN, AlN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN等 禁带宽度范围： 红、黄、绿、蓝和紫外光 晶格结构： 闪锌矿和纤锌矿 第01章 半导体中的电子状态 GaN晶体的能带特点 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对纤锌矿和闪锌矿结构 第01章 半导体中的电子状态 AlN晶体的能带特点 对纤锌矿结构 直接带隙 导带极小值与价带极大值在 ? 点 对闪锌矿结构 间接带隙 ?导带极小值在 X 点，价带极大值在 ? 点 第01章 半导体中的电子状态 第一章 半导体中的电子状态 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。 定性介绍能带理论； 利用Schrodinger方程近似推导关于半导体中电子的状态和能带特点； 引入有效质量和空穴的概念，阐述本征半导体的导电机构。 简单介绍几种半导体材料的能带结构。 第01章 半导体中的电子状态 第一章 小结 ●在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E(k)。在绝对零度时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 第01章 半导体中的电子状态 ●有效质量的概念及物理意义。 第01章 半导体中的电子状态 ●两种载流子的比较 价带附近的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。空穴具有正的有效质量。 ●直接带隙半导体和间接带隙半导体 第01章 半导体中的电子状态 第一章习题 P35 1,2,3 * 第01章 半导体中的电子状态 (2) 极值点 k0 正好在某一坐标轴上 能量 E 在 K 空间的分布为一旋转椭球曲面 设 k0 在 Z 轴上,晶体为简立方晶体 以 Z 轴为旋转轴. ● ko