第3章 屏蔽.ppt

５、屏蔽效果  干扰源A和被干扰设备B之间加入屏蔽体S，如图6－1－3。 UA 、 C1 、 C2 ……。 C3很 小, 可以忽略， 屏蔽体上的感应电压：?设备上的干扰电压： 可以看出，要使UB减小，必须使C1、C2、ZS减小，只有使ZS＝0，才能使US＝0，UB＝0，即屏蔽体必须良好接地，才能提高屏蔽效果。 4．金属丝网的影响 应用于需要自然通风或向内窥视的屏蔽体 截止频率 屏蔽效能 一般，在1~100MHz内，金属屏蔽网SE=60~100dB，玻璃夹层金属屏蔽网SE=50~90dB。 用金属丝网作窥视窗时其透明度较差。 5．薄膜及导电玻璃的影响 在玻璃或有机介质薄膜上真空蒸发或喷涂一层导电薄膜作为电磁屏蔽体，可用来代替玻璃夹层的金属丝网结构。 屏蔽线和屏蔽电缆是电子设备中用于连接两个屏蔽体时最常用的导线。为保证柔软、易于弯曲，其外层屏蔽体常用多股金属丝编织而成。 透光性好，对电磁场中电场分量的屏蔽有效，而对磁场分量的屏蔽则比较微弱。 6．屏蔽电缆的影响 屏蔽效能与编织屏蔽体的材料、密度等直接相关，一般单层编织屏蔽的屏蔽效能大约在50~60dB之间，双层编织屏蔽则可达80~90dB。 3.3 屏蔽体设计 3.3.1 屏蔽体设计原则 1．明确电磁骚扰源及敏感单元 2．大致确定屏蔽体的屏蔽效能 3．确定屏蔽方式 4．进行屏蔽完整性设计 3.3.2 屏蔽体设计中的处理方法 1．屏蔽方式及屏蔽材料的选择 电 场：采用良导体，厚度满足机械强度要求； 电磁波：采用良导体，且有—定厚度； 磁 场：用具有一定厚度的良导体，在低频情况下，采用高磁导率材料，且有一定的厚度。 * ? 屏蔽技术是利用屏蔽体阻挡或减小电磁能量传输的一种技术 。 目的：一是限制内部的辐射电磁能越出某一区域。 二是防止外来的辐射进入某一区域 。 按机理分为：电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。 按屏蔽体结构分为：完整屏蔽体屏蔽 、非完整屏 蔽体屏蔽和编织带屏蔽 。 第3章 屏蔽 3.1 屏蔽原理 3.1.1 自屏蔽 自屏蔽是指不增加外部屏蔽体，仅依靠合理的电路设计及结构布置，使在基本不增加成本的基础上达到屏蔽效果的方法。 自屏蔽的关键是场的自包容，即通过合理布置信号，使电压产生的电场和电流产生的磁场包容在结构内部。 同轴电缆 双绞线 芯线与外层导体所带电荷正负抵消，只在电缆内部产生电场，外部电场为零（接地）。 返回电流包围流出电流，和为零。只在电缆内部产生磁场，外部磁场为零。 同样，外部电场和磁场在该传输回路产生的干扰电压也为零。 若同轴电缆偏心，对于低频，外层导体电流均匀分布，流出与返回电流不重合，对外产生磁场，而对于高频，因电流沿最小阻抗走，外层不再均匀分布，流出与返回电流自动重合。对外不产生磁场。 不同电流布置 一根导体 二根导体 同轴电缆 在距离导体r处，rd，四种情况下所产生的磁场是依次减弱。 是否自包容？ 可以通过控制电流分布和电荷分布降低其产生的磁场和电场，以达到自屏蔽的目的。 磁场：返回电流包围流出电流，值与流出电流相等； 电场：正端和负端的电荷相包围，分布能相互抵消。 若在背板实地面垂直开槽，破坏返回电流与流出电流的最小回路面积通路，就会大大降低自包容效果。 消除或抑制静电场或交变电场与被干扰电路的电耦合。 1．静电场屏蔽 要实现静电场屏蔽，需要满足两个条件： 3.1.2 电场屏蔽 导体置于静电场中并达到静电平衡后，该导体是一个等位体。电荷只分布在导体表面。 (1)若导体内部有空腔，空腔导体隔绝外部静电场。 (2)若带电体位于空腔导体内部，把空腔导体接地，则不会在导体外部产生电场 ①有完整的屏蔽导体； ②屏蔽体良好接地。 ⑴、对于静电场：导体壳接地B电位为0，外表面没有电荷分布，屏蔽是完全的。⑵、A所带的电荷变化时（变化缓慢的交变电场），接地线中出现电流，这时：① B外表面出现电荷分布，② 接地电阻不可能完全为0，B的电位也不为零，∴ B外仍有残留的电场，屏蔽是不完全的。 A电荷正负交变时，外壳B也感应正负电荷，接地线便产生交变电流。 2．交变电场屏蔽 若屏蔽不接地？ 在交变电场情况下，导体间的电场感应是通过耦合电容起作用。 抑制措施：屏蔽+接地！ 电场耦合反而增大! 由于导体1和导体2之间的耦合要绕过屏蔽体，路径长了，等效耦合电容减小。 U2 U1 屏蔽接地等效电路 C2S 屏蔽电缆 电缆在接头处有一段暴露在屏蔽层之外，会引入电磁干扰，称为末端效应。 芯线与屏蔽外壳间电容 为保证屏蔽电缆的电场屏蔽效果，芯线裸露在屏蔽层之外的部分应尽量短，