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青岛农业大学 本 科 生 课 程 论 文 论 文 题 目 LB膜光电转换研究的进展 学生所在学院 化学与药学院 学生专业班级 材料化学专业 08级02班 学生姓名（学号） 栾洋洋 指 导 教 师 陈蔚燕 完 成 时 间 2010年1月日2010年1月日 2.2 pn结型 此类型结构为AI/n型材料/p型材料/Ag.AI、Ag电极的制备工艺同上。Ag与p型材料之间是欧姆接触。n型、p型材料的选择要匹配。考虑到拓宽吸收光谱范围，要选择互补的一对。即如果n型材料的短波响应好，则p型材料的光敏区域应该选择那些长波范围宽的，反之亦然。表2列出一些实例: 2.3 MIS和MIM类型 MIS结构已引起人们的注意，AI/卟啉锰衍生物LB膜/N-Si，Au/脂肪酸LB膜/GaP，或以CdTe，GaAs代替GaP都是这种结构.MIM结构:Al/卟啉锰LB膜/Al，Pb/硬脂酸LB膜/Al，Al/多肤LB膜/Ag，它们的光伏特性也被广泛地研究。在这种结构中，开路电压强烈地受绝缘层的影响，可以作为开发简单光伏电池应用的基础[2]。 用LB技术还可以实现高度有序化的电子传输系统。此系统由电子施主(D)，光敏层(S)，电子受主(A)三部分组成.A-S-D光电二极管要求A、S、D各部分是非对称的有序的空间排列，以使施主与受主的电荷分离。光照时S产生的电子传到A，S中失去的电子由D补充。LB技术是实现这一系统最合适的方法.Y.Nishikata用聚酞亚胺作为A，脂肪族取代的聚酞亚胺为D和5。此结构具有很高的光电流。K.Naito等制备的ITO/绝缘层/2层类固醇-TCNQ/2层类固醇酞著铜衍生物/2层类固醇对苯二胺/Hg结构的A-S-D器件实现了电子传输机制，为LB膜在分子电子器件的应用上开发了新的研究领域。此种类型也可以模拟光合作用，制备仿生太阳电池[3]。 用LB膜制备各种光电转换器件的研究已引起人们的兴趣。功能各异的器件有着潜在的应用前景。目前的研究状况离实际应用还有一段距离，器件性能的提高是必须解决的一大问题。 3. 改善器件性能，提高光电转换效率 对于任何一种光电器件，它的价值与能否实用，除易于制备、性能稳定外，大的光生电流、光电压以及由此产生的高的光电转换效率是重要的决定因素，这也是光电器件研究工作围绕着伏安特性、光谱响应研究等方面的直接原因。 光电转换的实现与下述过程直接相关:i.光被有机材料分子吸收，产生一定数量的载流子，载流子的产额直接影响光生电流与电压；ii.载流子由内建电场作用分离，运动到电极，被电极收集，收集的多少决定着光电流、光电压的大小.对于如何改善器件性能，我们认为以下几方面应引起关注: 3.1材料的分子结构和性能 在目前所采用的LB膜材料中，有些成膜性很好，可以直接拉膜。而其中大多数材料分子不具有双亲性，需加接长的烷基链或采用特殊的成膜技术才行。现在LB膜材料的研制主要有这样三条途径:i.将具有某种功能的有机分子修饰成LB膜材料；ii.合成出已知的具有所需功能的LB膜材料；iii.根据某种性能的有机分子的共性设计出新的分子结构.从材料合成出发得到我们所需要的LB膜材料是有效的手段[4]。 3.2 LB膜质量及成膜工艺 有了合适的材料，成膜条件，包括亚相溶液、溶剂的选择、挂膜方式的选择、膜厚的控制等，都需从实践中摸索规律.LB膜光电转换是通过分子排列的有序性和适当的膜厚来实现其功能的，只有载流子产生区及相邻的载流子扩散长度范围内吸收的光，才能产生有效的光电转换，所以通过各种结构表征，寻求高质量LB膜是改善器件性能的又一关键。 3.3 掺杂以改善LB膜的性能 掺杂能改变半导体材料性能，早已成为定论.用掺杂方式同样能优化有机材料LB膜的某些性能。有些有机材料本身电阻率很高，用来制备的LB膜光电器件由于电阻过大而影响器件性能。LB膜具有超薄而且分子规则排列的特点，所以掺杂更易于改善其电导等光电特性。酞著铜LB膜经过碘掺杂后，电阻率明显降低[5]。我们以前曾用稀HCI处理酞著铜衍生物LB膜，使其电阻率由106 ·cm以上降低到102 ·cm以下，光电器件的光生电流由14uA/cmZ提高到21uA/cm2.至于掺杂的物质被吸附的机制以及它们是如何与材料分子发生作用的，有待进一步研究. 3.4 电极接触问题 在任何一种光电子器件中，引出电极与半导体材料的接触情况都是影响器件特性的重