用VLS方法制备纳米线资料.ppt

VLS方法制备纳米线 第十三小组成员：王晓纯、李 晨、蒋 浩 朱思昆、刘建军、钟国彬 2008年1月 概要 VLS方法简介 VLS生长模型 Si纳米线制备流程及结果分析 其它纳米线制备 (Ge、ZnO……) VLS的优缺点 参考文献 第一部分： 什么是VLS方法？ 什么是VLS？ “气-液-固”（Vapor-Liquid-Solid，VLS）法是气相法合成准一维纳米材料的一种方法。20世纪60年代，R. S. Wagner 及其合作者在研究微米级的单晶硅晶须的生长过程中首次提出这种生长机制。 目前，VLS生长方法被认为是制备高产率单晶准一维纳米材料的最有效的途径之一。 什么是VLS？ 实现“气-液-固（VLS）”生长需要同时满足两个方面的条件： （1）形成弥散的、纳米级的、具有催化效应的低熔点合金液滴，这些合金液滴通常是金属催化剂和被制备材料之间作用形成的，常用催化剂有Au、Ag、Fe、Ni等； （2）形成一定压力的蒸气相，一般为欲制备的纳米线材料自身所对应的蒸气相或组分。 VLS过程 第二部分：  VLS生长模型 VLS生长模型 力学平衡 表面能 VLS生长模型 基本假定 1）忽略Si的各向异性，且固液界面非平面； 2）生长过程中夹角θLS，θLV保持不变； 3）生长过程中不偏离直线方向； 4）Si的扩散流F保持恒定； 5）生长速率v保持恒定。 影响VLS生长的因素 沉积温度（扩散系数，界面能） 催化剂种类（组分浓度，过饱和度） 气体压强（界面形状） 液滴大小（直径） 第三部分： Si纳米线的制备 VLS制备Si纳米线实验流程1 VLS制备Si纳米线实验流程2 实验及装置示意图 实验结果 VLS制备Si纳米线实验流程3 实验示意图 催化剂团簇对纳米线直径的影响 催化剂团簇对纳米线直径的影响 第四部分： 其它纳米线制备Ge、 ZnO、 a-Al2O3、SiC、BeO、GaAs…… VLS制备Ge纳米线 VLS制备ZnO纳米线—装置图 VLS制备ZnO纳米线 VLS制备ZnO纳米线 第五部分： VLS的优点和缺点 VLS的优点和缺点 优点 单晶准直纳米线 直径可控 方向性 可大面积高产率生产纳米线阵列 缺点 纯度不够 条件苛刻 不一定能找到合适的合金催化剂 参考文献 陈翌庆, 张琨, 王兵等, 功能材料[J]. 2004,35: 2804-2808 Xing Yingjie, Xi Zhonghe, Xue Zengquan. Vacuum Science and Technology (China) [J]. 2002,22:33-35 Steven M. Roper, Stephen H. Davis, Scott A. Norris, et. al., J. Appl. Phys. 102,034304 (2007) R. S. Wagner and W. C. Ellis, Applied Physics Letters. 4, 5 (1964) Alfredo M. Morales, Charles M. Lieber, Science. 279, 5348(1998) Md. Shofiqul Islama, et. al., Journal of Crystal Growth. 306 (2007) 276–282. Yi Cui, Lincoln J. Lauhon, Mark S. Gudiksen, et. Al., APRIL. 78, 15(2001) Peidong Yang, et. al., Adv. Funct. Mater., 12, 5(2002) * * 陈翌庆, 张琨, 王兵等, 功能材料[J]. 2004,35: 2804-2808 Si 金属催化剂（Ni、Au、Fe…） 共溶阶段 结晶阶段 生长阶段 高温下 Si 过饱和析出并结晶 纳米线 轴向生长 气相（Vapor） 液相 （Liquid） 固相（Solid） Xing Yingjie, Xi Zhonghe, Xue Zengquan. Vacuum Science and