CZT纳米薄膜的结与表面形貌(定稿)-2.docVIP

真空蒸发沉积CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌( 周昊，介万奇，查钢强，高俊宁 （西北工业大学 凝固技术国家重点实验室，陕西 西安710072） 摘 要： 本文采用真空蒸发沉积技术在ITO玻璃上制备得到CdZnTe纳米晶薄 膜，并利用台阶仪、X射线能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）和原子力显微 镜（AFM）研究了CdZnTe薄膜厚度、成分、结构和形貌特征。实验结果表明： 薄膜在（111）面表现出明显的择优生长特性。在薄膜生长初期，纳米薄膜中存 在一定程度的非晶态富集Te，但随着沉积时间延长，薄膜成分向化学计量比逼 近，结构也向闪锌矿CdZnTe转变。薄膜表面形貌平整，粗糙度Ra约为2-5nm。 随着沉积时间的延长，薄膜形貌由晶粒堆砌状向多晶层片连接状转变。在沉积 时间分别15min、30min和45min时，薄膜的厚度依次分别约为100nm、300nm 和500nm而薄膜的晶粒平均尺寸依次分别为43.15nm、30.81nm和71.94nm。 关键词： CdZnTe薄膜；纳米；结构；形貌 中图分类号：TN304.2 文献标识码：A 1.引言 CdZnTe是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体，具有吸收系数高，禁带宽度与太阳光谱相匹配等优点。因此，CdZnTe多晶薄膜被用来制备CdS-CdZnTe太阳能顶电池[1]。此外由于载流子在CdZnTe薄膜内的漂移距离短，可以有效地提高收集效率，因此CdZnTe薄膜可用于制备高性能低成本室温X射线探测器及γ射线探测器[2]。 CdZnTe薄膜既可由化学方法制备，也可通过物理气相沉积得到。化学法主要有非水溶剂中的电化学沉积[3]；物理气相沉积中使用最多的是热蒸发法[4]，此外还有近空间升华法[5]等。这些方法常被用来制备CdZnTe薄膜探测器，薄膜厚度一般为几百微米。薄膜的厚度对其结构和性能有着重要的影响，厚度增加将导致薄膜内的晶格畸变增大，从而影响薄膜的形核与长大。 Greenberg[6]研究了不同化合物配比的CdZnTe合金的升华热力学性质。在标准大气压下，1123K时CdZnTe发生升华，随着温度的升高，由于CdTe的优先升华大量缺失，CdZnTe合金会向ZnTe变化。因此，需要选择合适的温度和蒸气压，确保制备得到的薄膜中不含CdTe和ZnTe。本文利用真空蒸发法，研究在薄膜沉积初期，即膜厚500nm以下时的结构与形貌变化。并采用Zn含量较高的CdZnTe多晶粉料做蒸发源，以便更好地控制各组分的分压[7]。 2.实验 实验采用本实验室合成的高纯CdZnTe多晶粉料为蒸发源[8],以ITO玻璃为衬底。衬底采用0.1%（m/m）的NaOH溶液进行超声清洗，以去除无机杂质。然后进一步采用丙酮和去离子水分别超声清洗，以去除有机杂质，最后用N2吹干后放入真空腔室。采用AMBIOS2XP2 型台阶仪对制备的CdZnTe薄膜厚度进行了测试。采用OXFORD ISIS X射线能谱仪测试了薄膜中的各组分含量。采用PANalytiecal X’pert PRO型X射线衍射仪对CdZnTe薄膜的晶体结构进行了分析，射线入射方式为掠射，入射角为1°。采用Seiko SPI3800-SPA-400原子力显微镜 时间 厚 （min） (nm) Cd（at.%） 成 分 Zn(at.%） Te（at.%） (Cd+Zn)/ Te 原 料 / / 41.79 （±0.99） 8.47 （±1.27） 49.74 （±1.83） 1.0 CZT-1 15 100 18.50 （±3.18） 10.69 （±2.30） 70.69 （±1.71） 0.4 CZT-2 30 300 27.48 （±2.36） 11.39 （± 1.75） 61.13 （± 3.32） 0.8 CZT-3 45 500 36.47 （±1.95） 9.81 （± 1.51） 53.72 （± 2.81） 0.9 结果表明，当沉积时间分别为15min,30min和45min时，薄膜厚度依次分别约为100nm、300nm和500nm。薄膜中的成分配比偏离原料中的配比，呈现不同程度的富Te倾向。随着沉积时间的延长，薄膜中的成分向原料化学配比逼近。 CZT-1、CZT-2薄膜中的Te含量超出CdZnTe的固溶范围，不满足化学键的平衡原则。在薄膜成分逐渐向化学计量比转变的过程中，Cd的含量逐渐增加，Zn在薄膜中的含量变化并不明显。 分析认为在薄膜生长的初始阶段，Te在ITO衬底表面优先沉积，以非晶形式在衬底上凝结,形成薄层非晶Te。随着沉积时间的延长，衬