半导体物理_04半导体的导电性讲课.pptVIP

1、室温下，高纯Ge的电子迁移率μn=3900cm2/V.s，设电子的有效质量mn*=0.3m0=3×10-28g，试计算： （1）电子的热运动速度平均值、平均自由时间、平均自由程 （2）外加电场10V/cm时的漂移速度vd 2、设Si电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V.s和480cm2/V.s，试计算本征硅的室温电导率。掺入亿分之一(10-8)As以后，弱杂质全部电离，电导率应为多少？它比本征Si的电导率增大多少？ 3、室温下为了把电阻率为0.02Ω.cm的N型Ge片变成：（1）电阻率为0.01 Ω.cm的N型Ge片；（2）电阻率为0.02Ω.cm的P型Ge片，各需要掺入何种类型的杂质，其浓度应为多少？ 4、在一般的半导体中电子和空穴迁移率不同，所以电子和空穴数目恰好相同的本征半导体的电阻率并非最高，请问实际半导体在载流子浓度分别为多少时获得最高电阻率？如果μn μp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？ 其它因素引起的散射 Ge、Si晶体因具有多能谷的导带结构，载流子可以从一个能谷散射到另一个能谷，称为等同的能谷间散射，高温时谷间散射较重要。 低温下的重掺杂半导体，大量杂质未电离而呈中性，而低温下的晶格振动散射较弱，这时中性杂质散射不可忽视。 强简并半导体中载流子浓度很高，载流子之间也会发生散射。 如果晶体位错密度较高，位错散射也应考虑。 通常情况下，Si，Ge元素半导体的主要散射机构是电离杂质散射和长声学波散射；而GaAs的主要散射机构是电离杂质散射、长声学波散射和光学波散射。 半导体中主要的散射机构 电离杂质散射：电离的杂质 周围形成库伦势场，破坏了 杂质附近的周期性势场，形 成了载流子散射的附加势场 晶格振动散射：一定温度下， 晶格中原子各自在平衡位置 附近作微振动，形成格波， 也破坏了周期性势场，对载 流子有散射作用。 声学波 （低频振动） 光学波 （高频振动） §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 平均自由时间内获得的最大速度 4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系 自由时间——连续两次散射之间的时间（长短不一） 平均自由时间——多个载流子自由时间的统计平均值 设N个电子以速度v沿某方向运动，在t时刻未遭到散射的电子数为N(t)，则在t~(t+△t)时间内被散射的电子数为： 因此 则t~t+dt时间内被散射的电子数为： 在t~t+dt时间内被散射的所有电子自由时间为t，这些电子自由时间总和为tN0Pe-Ptdt，则N0个电子平均自由时间可表示为： 4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系 物理意义：载流子的自由时间有一个统计分布，但简单的可以认为所有电子从时间t=0开始被加速“自由”的运动，平均来说 时受到一次散射。 N0 N(t) t 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 设电子在t=0时刻遭散射，散射后电子速度为v0，在此速度方向上经时间t加速后再次被散射，则散射前速度： 两边求平均，假定每次散射后v0完全无规则，多次散射后v0在x方向分量的平均值为0，因此： 平均漂移速度 0 N型半导体 P型半导体 本征半导体 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 多能谷情况下的电导率： 对于等能面为球形的半导体，上面的讨论已经表明，电流密度和电场的方向是一致的,电导率是标量。但是，对于导带有几个对称的能谷的半导体(如硅和锗)，在每一个能谷中电子的电导率是张量,在计入各个能谷中电子总的贡献时，电导率才是标量 。 硅中导带的六个能谷和它们的主轴方向 ml mt mt mt ml ml 硅的导带有六个能谷（3组）,它们在布里渊区内部六个100方向上.等能面是以这些轴为旋转轴的旋转椭球面 令ml表示沿旋转主轴方向上的纵向有效质量，mt表示垂直于旋转主轴方向的横向有效质量，则有m1=ml和m2=m3=mt. 总的电流密度和电导率(以硅为例) 如果用μl 和μt 分别代表纵向迁移率和横向迁移率，则可得出: 各能谷中,μl 和μt 的数值都相等,但它们对应于晶体中不同方向。 同一个对称轴上的两个能谷，它们的能量椭球主轴方向一致,可作为一组来考虑。用n表示电子浓度,则每组能谷的电子浓度是n/3，总电流密度应是三组能谷电子电流密度之和，因此： 这个结果说明总的电流密度和电场的方向是一致的，因此，电导率是标量。 则有 mc称为电子的电导有效质量 令： 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 ⅰ 掺杂浓度一定（饱和电离）时,μ大→σ大,即导电能力强; 其中 与散射机构有关（散射机率大时，迁移率小）。 例：一般情况下μn μp，因此,npn比pnp的晶体管