B6CMOS模拟集成电路重点研讨.ppt

MOS器件 MOS器件 MOS器件 MOS器件 MOS器件 单级放大器 单级放大器四种基本类型 共源放大器 源跟随器 共栅放大器 共源共栅放大器 单级放大器-共源放大器 单级放大器-源跟随器 源跟随器具有大的输入阻抗和中等的输出阻抗 单机放大器-源跟随器 单级放大器-共栅放大器 单级放大器-共栅放大器 单级放大器-共栅放大器 单级放大器-共栅放大器 单级放大器-共栅放大器 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 单级放大器-共源共栅电路 差动放大器 差动放大器-差分信号的定义 差动放大器-单端和差分工作的特点 差动放大器-基本差动对的定性分析 差动放大器-基本差动对的定量分析 《模拟CMOS集成电路设计》重点回顾 考试题型 一、名词解释（每个2.5分，共10分） 二、填空题（每个空2分，共30分） 三、判断题（每个题2分，共10分） 四、简答题（每小题10分，共20分） 五、计算题（每小题15分，共30分） 试卷满分100分 MOS器件 MOS器件特点： 载流子导电，电压控制型器件 MOS器件的源端和漏端在几何上是等效的。 MOS器件的结构 MOS器件 W Gate width； Ldrawn(L) Gate length--layout gate length； Leff Effective gate length； LD S/D side diffusion； W/L Aspect ratio； S. D. G. B Source, Drain, Gate, Bulk(Body) MOS器件的结构 MOS器件 PMOS、NMOS器件剖面图 PMOS、NMOS器件剖面图 MOS器件是4端器件（D,G,S,B) NMOS，PMOS两种类型：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱 衬底端电平使PN结反偏 NMOS共享一个衬底端，PMOS有各自的衬底端。 MOS器件 阈值电压 以NMOS为例：D和S接地 ① VG0，空穴在硅表面积累 0VGVth 硅表面耗尽：表面只有固定的负电荷 强反型条件： 栅极下硅表面反型层的载流子浓度=衬底掺杂浓度 MOS器件 阈值电压(NMOS,VDS=0.1V) MOS器件 强反型条件： 栅极下硅表面反型层的载流子浓度=衬底掺杂浓度 理想的阈值电压： MOS器件 栅氧化层中的电荷陷阱 Qss 为氧化层中有效正电荷密度 Qss 有可能使NMOS的Vth为负值，通过沟道离子注入可以提高Vth 沟道离子注入 注入P型杂质，使沟道内的P型杂质浓度上升，则： MOS器件 沟道电荷随VDS变化 MOS器件 MOS器件 图2.11 三级管区漏电流与漏源电压的关系 MOS器件 ②电流方程 b. 深三极管区 图2.12 深三极管区的线性工作 MOS器件 ②电流方程 饱和区VDSVGS-VTH 沟道夹断，电流随VDS增加近似固定 MOS器件 电流源 饱和区时，由于电流近似恒定，MOS构成电流源 MOS器件 MOS器件 VDS与工作区 MOS器件 问题: 一个nMOS管,偏置VGSVT ,漏级开路(ID =0),此晶体管是处于cut off 状态还是其他状态?为什么? MOS器件 MOS器件 MOS器件 由上述比较来看,一个aspect为100,Vod=0.2V, ID=100 μA的MOS管.跨导约为最小的npn管(1ma偏置)的1/40. 重要结论: MOS模拟电路设计中,决定放大器增益的重要因素gm首先是取决于W/L值.(由2-17表达式) 关于偏置电流ID对gm的影响,由2-18式知gm ∝ (ID)1/2 ,调节ID对gm 作用较小,且从放大器输出电阻来看,较高ID对增益不一定有利. MOS器件 沟道长度调制效应 MOS器件 沟道长度调制效应 MOS器件 沟道长度调制效应 MOS器件 MOS器件 MOS器件 MOS器件 MOS器件 MOS器件