功率高频开关器件介绍研讨.ppt

* 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第二章 功率高频开关器件 第四章 第2节 功率高频开关器件 * * ●高频开关器件目前应用的有三种: 双极型晶体管 (BJT) 功率场效应晶体管 (MOSFET) 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) * * 开关器件的指标： 关断（截止）时可承受的正、反向最高电压 开通（导通）时可允许流过的最大电流（功率） 导通时的饱和压降（越小越好） 开通、关断 状态转换过程损耗小（开关损耗） 开通、关断 状态转换速度的快慢（开关频率,工作频率） 开关寿命长（允许总的开关次数越多越好） * * 功率开关器件的状态 导通态（on） 关断态（off） 切换态 * * 一、双极型晶体管 (BJT) c e b NPN型晶体管 晶体管的输出特性可分为三个区域: 截止区 放大区 饱和区 * * 双极型晶体管 的特点： 电流控制器件 用于中小功率场合（数十千瓦～数百千瓦） 开关频率较低（数千赫兹以下） * * 二、功率场效应晶体管 MOSFET G 栅极 S 源极 D 漏极 UGS D S UGS RG G 一般情况：当UGS8～10V左右时 导通 当UGS1V时 截止 RG=1kΩ～100kΩ * * ●电压驱动器件 ●用于中小功率场合（数百千瓦以下） ●开关频率较高，最大工作频率达100kHz以上 * * 功率场效应晶体管与功率开关三极管比较： （1）工作频率高 （2）耐压高 （3）ton期间通过MOS管的最大电流更大 （4）价格也高，但控制电路更简单 （5）正向压降较高 * * 三、绝缘栅双极型晶体管 IGBT G栅极 E发射极 C集电极 C G E Rmond 电压控制器件 用于的功率场合为（数十千瓦～数百千瓦） 开关频率 该功率等级目前最理想的器件 * * IGBT的特点： （2）IGBT比MOSFET耐压高，电流容量大 （1）电压控制型器件：IGBT等效于用MOSFET作驱动级，所以是压控器件。 （3）开通速度比MOSFET快 （4）关断速度 * * ●功率二极管 在开关电源中，除了工频整流器外，二极管大多工作在高频开关状态，因此二极管的动态开关特性就十分重要，其中主要是正向特性和反向恢复特性。使用中要求二极管正向瞬态压降小、反向恢复时间短、并具有快速恢复特性。 * * 1. 开通特性 开通初期出现较高的正向峰值电压Ufp，电压下降到2V时为正向恢复时间tfr，继续下降到稳态压降（如1V左右）。diF/dt为电流变化率，与器件内部机理、引线长度、有无磁性材料等因素有关。随着结温的增加，正向恢复时间tfr和峰值电压Ufp也增加。 正向开通特性 U Ufp 2V d it / d t UP iF tfr 0 t * * IF diF / dt trr=t2 -t0 t0 t2 tf IRM Q Q2 反相恢复特性 2. 关断特性 二极管正在通过大的正向电流而突加反向电压时，反向阻断能力的恢复过程如图 * * IF diF / dt trr=t2 -t0 t0 t2 tf IRM Q Q2 反相恢复特性 （1）tf瞬时加反压（电路电压变负），正向电流IF以diF/dt速率减小。diF/dt由反压U和分布电感L所决定。 （2）t0瞬时电流过零，二极管未恢复阻断能力，流过反向恢复电流iR，电流反向增大。 （3）t1瞬时，电流达最大反向恢复电流IRm，二极管开始恢复阻断能力，开始承受反向电压 * * IF diF / dt trr=t2 -t0 t0 t2 tf IRM Q Q2 （4）t1之后：承受反向电压的能力迅速提高，反向恢复电流按|dirr/dt|迅速下降，加上电源电压得最大反向电压URm （5）t2瞬时：反向电流减小到IRm/4. （6）t0～t