半导体二极管及其基本应用电路研讨.pptVIP

2、二极管的恒压降模型 uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 近似分析中最常用 3、实际情况下的等效模型 导通时△i与△u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 4、二极管的微变等效电路（交流小信号模型） Q越高，rd越小。 静态电流 ui=0时直流电源作用 小信号作用 公式法： 讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 对V和Ui二极管的模型有什么不同？ V与uD可比，则需图解： ID 实测特性 uD=V－iR UD Q 二极管应用举例 例1：二极管的导通压降为0.7V，试分别估算开关断开和闭合 时输出电压的数值 例2 已知电路如图所示，VDA和VDB为硅二极管，若UA=3V，UB=0V时，求输出端F的电压值UF。 解：两个二极管存在优先导通现象。 VDB优先导通 UF=UB+0.7=0.7V VDA反向截止。 例 3 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 [解] VDD = 2 V 理想 UO = VDD = 2 V IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 理想 恒压降 UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型 例4 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。 解：假设二极管断开 UP = 15 V UP UN 二极管导通 等效为 0.7 V 的恒压源 例 5 ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。 ui 较小，宜采用恒压降模型 ui 0.7 V V1、V2 均截止 uO = ui ui ? 0.7 V V2 导通 V１截止 uO = 0.7 V ui ? 0.7 V V1 导通 V2 截止 uO = ? 0.7 V O t uO/ V 0.7 O t ui / V 2 ? 0.7 思考题: V1、V2 支路各串联恒压源，输出波形如何？(用 EWB仿真 ) 3.3 稳压二极管及其基本应用电路 一、伏安特性 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 符号 特性 斜率？ 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 限流电阻 工作条件：反向击穿 等效电路 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，小于 Imin 时不稳压。 3. 额定耗散功率 PZM 不至损坏时允许的最大功耗。 P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ 几 ? ? 几十 ? rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好 5. 稳定电压温度系数 UZ 4 V，CTV 0 (为齐纳击穿)具有负温度系数； UZ 7 V，CTV 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数； 4 V UZ 7 V，CTV 很小。 1. 稳压管稳压电路，R 为限流电阻。 UI UO R RL IL IR IZ IR = IZ + IL UO= UI – IR R= 二. 稳压管的基本应用电路 放到10.4.3详细分析 2. 限幅电路 为适应负载对电压幅值的要求，输出端加限幅电路。 UOH＝＋ UZ1＋ UD2 UOL＝－( UZ2 ＋ UD1) UOH＝ － UOL＝ UZ UOH＝ UZ UOL＝－ UD 不可缺少！ 为使UOL接近0，怎么办？ 锗管 3. 窗口比较器 当uIURH时，uO1=－ uO2= UOM，D1导通，D2截止； uO= UZ。 当uIURL时，uO2=－ uO1= UOM，D2导通，D1截止； uO= UZ 。 当URLuI URH时， uO1= uO2= －UOM，D1、D2均截止； uO= 0。 3.4 其它类型二极管 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 符号 工作条件：正向偏置 u /V i /mA