第二章半导体三极管研讨.pptVIP

第二章 半导体三极管及其电路分析 § 2.1 双极型半导体三极管 一、结构与符号 注意： ①发射区与集电区是同一半导体，但不能互换。原因是发射区掺杂浓度较高，主要任务是发射载流子；而集电区浓度较低，主要任务是接受载流子。（但它比基区浓度高。） ②集电区的尺寸比发射区大，集电结比发射结厚。 ③基区掺杂浓度低而且很薄，使发射区发射的载流子很容易穿过基区到达集电区（发射区比基区浓度高几百几千倍） 三、晶体三极管特性曲线 1、输入特性：IB=f (uBE)|uCE=常数 2、输出特性曲线：Ic=f( uCE)|iB=常数 结论： ①恒流特性： 因为曲线近似平行与横轴的直线，尽管uCE变大，但输出电流不变，当iB一定时，输出电流IC也一定，并且，满足IC= βIB这称为恒流特性，C、E之间的等效电阻接近于无穷大。 ②电流放大作用： 当IB等量增加时，曲线等间隔的上移，这就是交流电流的放大作用。 四、三极管的主要参数 1、电流放大倍数 ： ⑴ 共基极电流放大倍数 α= ; α 1 ⑵ 共发射极电流放大倍数 β= ；β1 3、极限参数： 1）集电极最大允许功耗：PCM PCM=IC·UCE