第2章双极型晶体管和基本放大电路7分析.ppt

（１）电压增益 其中 Ui RE RL rbe Ib + - + - Ie e b c . . . Ro Us + - Rs . Ib ? . . . Ii Uo R’i Ri RC 微变等效电路 + - + - Rs RE RL Rc Us . . Uo 交流通路 Uo与Ui相位相同 （２）输入电阻 （３）输出电阻 Ui RE RL rbe Ib + - + - Ie e b c . . . Ro Us + - Rs . Ib ? . . . Ii Uo R’i Ri RC 输入电阻很小。 2.5.4 三种晶体管基本放大电路的比较 判断三种接法要搞清根本,电路组成上的区别主要在于输入和输出信号接在晶体管的哪个极。 （1）共射电路 信号从基极输入、集电极输出，电路具有电流、电压和功率的放大作用。但输出电阻较大，带负载能力较弱，不适合功率放大电路。 （2）共集电路 信号从基极输入、发射极输出，实现“电压跟随”无电压放大作用，只有电流放大作用，所以仍 具功率放大作用。因输出电阻小，带负载能力强，适合作功率放大。 （3）共基电路 信号从射极输入、集电极输出，实现“电流跟随”无电流放大作用，只有电压放大作用。因输出电阻较大，不适合作功率放大。 三种基本放大电路的比较 出与入电压相位 共射 共集 共基 电压增益 电流增益 输入电阻 输出电阻 大 大 ?１ 大 大 适中 较大 最大 最小 小 较大 用 途 低频电压 放大电路 输入级 输出级 宽频带 放大电路 信号输入端 信号输出端 b b e e c c ?１ 相反 相同 相同 2.6 晶体管基本放大电路的派生电路 2.6.1 复合管的概念 为进一步改善放大电路的性能，可用多只晶体管构成复合管，取代放大电路中的一只晶体管。 复合管 2.6.1 复合管的概念 可以证明复合管的等效电流放大系数为： ? = ic ib ≈ ?1 ?2 ic ib ie ib=ib1 VT1 VT2 ic1 ie=ie2 ic2 ie1=ib2 ic NPN型+ NPN型 等效电流放大系数 等效输入电阻 复合管为NPN型 ic ib ie NPN型＋PNP型 VT1 VT2 ib ie ic 复合管为NPN型 PNP型＋PNP型 VT1 VT2 ic ib ie PNP型＋NPN型 ic ib ie 复合管为PNP型 VT2 VT1 ic ie ib １）每个管子的各极电流均有合适的通路，前一只管的集电极或发射极与后一只管的基极相连。 ２）外加电压保证晶体管工作在放大区。 复合管的组成原则： 复合管的类型与前一只管类型相同。 第二章基本要求 重点掌握： 1. 放大电路的组成原则、直流通路与交流通路、直流负载线 与交流负载线、 饱和失真与截止失真、产生饱和失真与截 止失真的原因。 2. 共射基本放大电路及分压式静态工作点稳定电路静态参数（IBQ、 ICQ 、U CEQ）的分析计算、动态参数（Au、 Ri 、RO ）的分析与计算。 3. 求共射基本放大电路最大不失真输出电压(Uom) M。 4. 射极跟随器的静态与动态分析计算。 * * * * * * * （３） 反映ib对ic的控制能力，常用?表示。 （4） 表示输出电导，单位是西门子。 11e 12 21 22 0 0 rbe e e e h h h h b ? ? ? ? 1/h22e Ic Uce Ube h11e Ib h21e h12e Uce 3.简化的Ｈ参数等效模型 . Uce Ube rbe Ib ? + - + - IEQ单位为mA, rb’e与Ｑ点有关。 rb’e为发射结电阻 求rbe (以NPN管为例) 根据晶体管的电流方程存在: rbb’一般取300Ω. 与Ｑ点有关. 也可以用阻抗折算原理求出rbe. １）该模型只能用于求各交流量之间的关系，不能用来求静态量。 4.应用Ｈ参数模型应注意的问题 ２）参数都是在Ｑ点处定义，与Ｑ点有关，且只能用于低频小信号。 ３）PNP型和NPN型晶体管的Ｈ参数模型相同。 2.4.３ 共射基本放大电路动态性能的Ｈ参数模型分析法 １、画出微变等效电路图 电路图 微变等效电路 1.电压增益 交流参数与直流参数有关，即交流性能指标受静态工作点影响。 分析放大电路的交流性能指标时，应先进行静态分析, 先静态，后动态。 注意负号! 2.输入电阻 3.输出电阻 由求输出电阻定义,信号源短路，保留内阻，去掉负载电阻，在输出端加电压　　，产生电流　　，有: (令输入信号短路后,基极及集电极电流均等于0。) 例: 在图示电路中，Rs