2008物理考题(B)解答.doc

课程号： 0302053 《材料物理A》期末考试试卷（B） 考试形式：闭卷考试 考试时间：120分钟 班号_________ 学号_________ 姓名________ 得分_________ 题号 一 二 三 四 总分 得分 一、填空题(每小题3分，共30分) 1.一陶瓷含体积百分比为95%的Al2O3(E=380GPa)和5%的玻璃相(E=84GPa)，其上限弹性模量为_331.33GPa_____；下限弹性模量为__293.11GPa____。 2.物质的磁性分为 三类 类；分别为 顺磁性 ； 抗磁性 ； 铁磁性 。3．铁电畴的定义是 铁电体从顺电相变为铁电相具有自发极化，这种自发极化一致的区域叫做铁电畴 。 4.描述材料热学性能的指标有 热容 ；热传导系数 ；热膨胀系数 。 5.影响蠕变的主要因素 温度 ； 应力 ； 组成 ； 显微结构 ； 晶体结构 。 6.采用 霍尔效应 实验可以确定材料是电子导电，采用 电解效应 实验可以确定材料是离子导电。 7.离子扩散的主要形式有 间隙扩散 ； 空位扩散 ； 亚晶格间隙扩散 。 8.介质击穿的主要形式有 电击穿 ； 热击穿 ； 化学击穿 。 9.压电效应可分为 2 类， 分别是 正压电效应 和 负压电效应 。 10.根据断裂前发生塑性形变的情况，大体上可把材料的断裂方式分为 脆性 断裂和 韧性 断裂，其中 脆性 断裂具有很大的危险性! 二、简答题(每小题5分，共40分) 1．已知铁的表面能，杨氏模量，晶格常数，求铁的最大断裂强度；如果在铁中存在一个长度为的裂纹，此时铁的断裂强度与没有裂纹存在时一样吗？若不一样，请算出断裂强度的大小？ 不一样 ， 2．简述裂纹的起源与快速扩展的原因？ （1）由于晶体微观结构中存在缺陷，当受到外力作用时，在这些缺陷处就会引起应力集中，导致裂纹成核。 （2）材料表面的机械损伤与化学腐蚀形成表面裂纹。 （3）由于热应力形成裂纹。 裂纹快速扩展的原因：裂纹扩展是单位面积所释放的能量大于形成新的单位表面所需要的表面能 1晶体微观结构的缺陷，应力在缺陷处集中生成裂纹的核 2由于表面的机械损伤、化学腐蚀产生表面裂纹 3 由于热应力的作用产生裂纹 快速扩展的原因：材料在形成新裂纹时所释放的能量大于新表面形成时所需的表面能 3．提高无机材料透光性的措施有哪些? (1)提高原材料纯度, (2) 掺加外加剂, (3) 改变工艺措施 1提高纯度 2添加外加剂 3改变工艺措施 提高原材料纯度，掺加外加剂 改良工艺措施 4．说出电子迁移率 中各参量的物理意义？影响迁移率的主要因素是什么？ J：电子两次碰撞所需时间的平均值，e是电子所带电荷，m是电子的有效质量 电子及空穴的有效质量，散射的强弱，掺杂浓度和温度 τ是连续碰撞两次的时间，e是电子的电量，m*是电子的有效质量； 主要因素有：电子和空穴有效质量的大小，散射的强弱，掺杂浓度和温度。 5．建立的重要意义及适用范围？ 建立了宏观量e和微观量a之间的关系，提供了计算介电性能参数的方法 适用范围：分子间作用小的气体，非极化液体或固体，NaCl类型和具有适当对称结构的晶体 重要意义：建立了宏观量(r与微观量(之间的关系，提供了计算介电性能参数的方法； 适用范围：分子间作用很弱的气体、非极性液体和非极性固体，一些NaCl型离子晶体和具有适当对称的晶体。 6．画出典型的矩磁材料的磁滞回线，并简单说明矩磁材料的应用。 磁滞线呈矩形，在两方面的剩磁正好能表示计算机中的“0”和“1”，因此矩磁性材料常用于制作“记忆”元件。 磁滞回线呈矩形，在两个方向上的剩磁可用于表示计算机二进制的“0”和“1”，故适合于制成“记忆”元件。（3分） 7．为什么金属的电阻因温度升高而增大，而半导体的电阻却因温度的升高而减小？ 金属在温度升高之后，自由电子的碰撞加剧，对电子的定向运动起到阻碍作用，因而电阻增大，而半导体只有温度升高时才能激发电子，且数量很少，所以电阻较小 当金属温度升高时，自由电子碰撞的次数增多，阻碍了电子的运动，因而电阻增大。而半导体当温度升高时才能激发出电子，并且是少数的，因而电阻减小。 8．简述介质损耗的概念及分类。 概念：电解质在电厂作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量，成为电解质的损耗功率，又叫介质损耗 分类：电导 电离