pn结杂质浓度分布的测量总结.docxVIP

2015年5月24日 近代物理实验-pn结杂质浓度分布的测量 May 24，2015 PAGE \* MERGEFORMAT10 pn结杂质浓度分布的测量 摘 要：将锁相放大器用于电容—电压法测量P+N结杂质浓度，利用PN结的电容CT与反向偏压VR之间的关系表达式通过作图法和相关计算得出某一PN结的接触电势差VD以及浅杂质端的杂质浓度ND，研究了具有不同正电阻的PN结在零偏压下位相角的变化，表明了在正向电阻较小的情况下，位相角变化就越大，而随着正向电阻的增大，位相角变化就变得不那么明显。另外，本文还探索了标准电容和PN结电容与位相角之间的关系，得出了对于标准电容，其位相角大小几乎不随电容值的变化而变化，而对于不同偏压下PN的电容，在零偏压下，PN结电容最大，势垒宽度最小，电阻也最小，这时候位相角变化最快；而随着偏压的增大，PN结电容减小，势垒宽度增大，电阻也相应地增大，这时候位相角变化就不那么明显了。 关键词：锁相放大器；PN结；反向偏压；位相角；电容值 引言 在半导体器件的设计和制造过程中，如何控制半导体内部的杂质浓度分布，从而达到对器件电学性能的要求，是半导体技术中的一个重要问题，因此对杂质浓度分布的测量，也就成为半导体材料和器件的基本测量之一。而电容—电压法由于具有独特的优点，比如简单快速，又不破坏样品，使得其成为测量P—N结杂质浓度分布中较常用的方法之一，但是应该