半导体物理学基础知识总结.docxVIP

1半导体中的电子状态 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子的运动 有效质量 1半导体中E与K的关系 2半导体中电子的平均速度 3半导体中电子的加速度 1.4半导体的导电机构 空穴 1硅和锗的导带结构 对于硅，由公式 讨论后可得：  = 1 \* ROMAN I.磁感应沿【1 1 1】方向，当改变B（磁感应强度）时，只能观察到一个吸收峰  = 2 \* ROMAN II.磁感应沿【1 1 0】方向，有两个吸收峰  = 3 \* ROMAN III.磁感应沿【1 0 0】方向，有两个吸收峰  = 4 \* ROMAN IV磁感应沿任意方向时，有三个吸收峰 2硅和锗的价带结构 重空穴比轻空穴有较强的各向异性。 2半导体中杂质和缺陷能级 缺陷分为点缺陷，线缺陷，面缺陷(层错等) 1.替位式杂质 间隙式杂质 2.施主杂质：能级为E(D),被施主杂质束缚的电子的能量状态比导带底E(C)低ΔE(D),施主能级位于离导带底近的禁带中。 3. 受主杂质：能级为E(A),被受主杂质束缚的电子的能量状态比价带E(V)高ΔE(A),受主能级位于离价带顶近的禁带中。 4.杂质的补偿作用 5.深能级杂质：  = 1 \* GB2 ⑴非3，5族杂质在硅，锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，离价带顶也较远，称为深能级。