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2,硬盘大跃进 硬盘? 硬盘原理 硬盘的困难和GMR的解决方案 从芯片处理器输出的 “0”或者“1”电脉冲, →记录磁头将盘片某个局部磁化。 各种正或负“小磁铁组” →传统的读出磁头是一个线圈, 切割该“小磁铁组”所带的正或负磁场 物理困难和GMR方案: 物理困难: 读出过程相当于“走马看花”,误码率大大增加。 GMR解决高密度存储的难题? GMR磁头的“读出”原理 并不是电磁感应效应,而是磁电阻效应 工艺困难 面密度“100G比特/平方英寸”商品硬盘 一个比特的长度≈40纳米; GMR磁头的工作层≈3纳米; GMR磁头与磁盘面的间隙≈10纳米。 是感应线圈读出磁头根本无法做到的 80 Gbyte Seagate U series 2001 32.6 Gbits/in2 2 x 3.5”glass disks 4.4 Mbyte IBM RAMAC 1955 2 kbits/in2 50x24” dia disks 340 Mbyte IBM Microdrive 1999 6 Gbits/in2 1 x 1” dia disk 3,GMR的物理――自旋! 另一个诺贝尔奖,电子自旋的故事 为解释反常塞曼(P.Zeeman)效应(1897年) G.Uhlenbeck and S.Goudsmit提出: 电子还有一个自旋(Spin)角动量。( 1925年) (就是1921年S-G实验发现)。 1921年,O.Stern and W Gerlach 实验, (1943年诺贝尔奖) 过渡金属的能带,两种自旋电子不一样。 过渡金属的电导,两种自旋电子也不一样。 两电流模型(1936年提出) 莫特(N.F.Mott,1977年诺贝尔奖) 左边:铁磁磁矩彼此平行;右边:铁磁磁矩彼此反平行 长箭头→ →铁的局域自旋;短箭头→传导电子的自旋。 4,自旋电子学 GMR发现之后:器件的改进 1,提高自旋极化率 2,提高平均自由程 进一步的问题: 自旋对于电流的影响只表现于电阻? 1,自旋注入 2,自旋霍尔效应 1,自旋注入 动机:自旋如电子电荷一样传递信息? 设想 自旋场效应晶体管 “Spin MOS”? 自旋注入: 铁磁金属→半导体 …放大、调控…… 2,自旋霍尔效应 寻找自旋流 半导体薄膜 光学克尔效应 自旋被分离了 * Fingerprint Dust Particle Human Hair 75,000 nm Smoke Particle Head Disk Media *

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