第7章晶体管及其放大电路资料.ppt

第7章 晶体管及其放大电路 本章主要内容： 当ffH时，是频率响应的高频区， 共射极放大电路的全频响应波特图: 由图看出，放大电路在中频区增益最大。 5．增益带宽积 对于大多数放大电路，fH fL，故通频带宽BW为 增大通频带宽必须减小 提高增益必须增大 ，增益和带宽2者对 的要求互相抵住， 不可兼得，只能根据实际要求进行折中。 例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1KΩ，Rb1=100 KΩ，Rb2=16 KΩ，Re=1KΩ，Rc= RL =5KΩ；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，β0＝100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益及上限频率和下限频率。 解：（1）静态分析 （2）求解混合π模型中的参数 （3）求解中频电压增益 得中频源电压增益： （4）求解fH和fL 与 的比值大于4，因此取下限频率取 。 *7.6.4 共集电极放大电路的频率响应(略) 由于受密勒效应的影响，共射极放大电路的通频带宽较窄。 为了增加带宽，就必须减小或消除密勒效应。 共集电极放大电路和共基极放大电路能满足这样的要求。 由于通频带宽主要取决于上限频率，所以在共集电极放大电路和共基极放大电路的频率分析中，只介绍高频响应。 共集放大电路 共集放大电路的高频小信号等效电路 Cμ只接在输入回路中，所以不会产生密勒效应。 电阻和电容是跨接在输入端和输出端之间的，因而会产生密勒效应。 但是，因为共集电极放大电路的电压增益近似为1，即密勒效应很小。 因此，共集电极放大电路的高频响应特性也较好，上限截止频率高。 基极偏置电阻Rb远大于放大电路的输入电阻Ri，忽略基极偏置电阻Rb的分流作用，则 所以，高频电压增益为 令： 则： 例7.8 在下图所示的共集电极放大电路中，已知VCC =12V，Rb=300k?，Re =RL=2k?，Rs=1k?；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，β0＝100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益和上限频率。 解：（1）静态分析 （2）求解混合π模型中的参数 （3）求解中频电压增益 得中频源电压增益： （4）计算上限频率和零点频率 小者作为上限频率，即 。 对比例7.7可知，虽然晶体管参数相同，但共集电极放大电路的高频响应比共射极放大电路（上限频率为2.1MHz）好得多。 *7.6.5 共基极放大电路的频率响应(略) 高频小信号等效电路: 由于rbb‘很小，并且在很宽的频率范围内 、 比 小的多， 故rbb上的电压近似为0， 节点b交流接地。 简化高频小信号等效电路 简化高频小信号等效电路 则高频电压增益为： 2.动态分析 7.5.1 共集-共基组合放大电路 由共集电路增益表达式（7.4.3a）和共基电路增益表达式（7.4.6），得 设β1=β2=β，则 电压增益： b1 e1 c1 e2 b2 c2 2.动态分析 7.5.1 共集-共基组合放大电路 输入电阻Ri： 输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻 设β1=β2=β，则 输出电阻等于第二级放大电路的输出电阻，即 7.5.2 共集-共集组合放大电路 复合管（也称为达林顿管） 1．四种复合管 (a) NPN+NPN→NPN（第1个元件） (b) PNP+PNP→PNP（第1个元件） 1．四种复合管 (c) NPN+PNP→NPN（第1个元件） (d) PNP+NPN→PNP（第1个元件） ③等效晶体管的类型是第1个元件(基极)的类型。 （1）复合管的组成原则 ②第1个元件的集电极电流或射极电流作第2个元件的基极电流，真实电流方向一致。 晶体管组成复合管时，应遵守下述两条原则： ①在正确的外加电压下，每只晶体管均工作在放大区。 （2）复合管的主要参数 ①电流放大系数β (a) NPN+NPN→NPN（第1个元件） 以（a）图为例： 所以 复合管的电流放大系数近似等于每个管子的电流放大系数之乘积。 （2）复合管的主要参数 ②输入电阻rbe (a)和(b)是由两只同类型的晶体管构成的复合管，其输入电阻为 (c)和(d)是两只不同类型的晶体管构成的复合管，其输入电阻为 2．共集－共集放大电路的动态参数 T1和T2是NPN管，复合为一只NPN管，由前述分析，其电流放大系数为： 复合管构成的共集电极放大电路的小信号等效电路： 7.6.1 晶体管的高频小信号模型和频率参数(略) 1．晶体管的高频小信号模型