半导体器件原理第二章.4技术方案.ppt

* * §2-4 准费米能级 2、PN 结的平衡情形 已知平衡载流子的浓度可表示为： 1、费米能级 在平衡状态时，存在统一的费米能级 EF ，即电子与空穴有相同的费米能级，并且费米能级在半导体内处处相等。 平衡PN 结的能带图为： N区 P区 3、准费米能级 在非平衡情形，不存在统一的费米能级，但同一种粒子在同一地点的能量分布仍与费米分布函数形式相同，为了能用类似描述平衡状态的公式来描述非平衡状态的载流子浓度分布，引入了准费米能级的概念。 设 EFp 与 EFn 分别为空穴与电子的 准费米能级，且均可随 x 而变化，则非平衡状态时的空穴和电子浓度仍可表示为： 耗尽区中两种准费米能级之差为： 因此有： 4、PN 结在正向电压下的情形 耗尽区中有： 这个差值就是势垒高度比平衡时降低的数值。 5、PN 结在反向电压下的情形 耗尽区中同样有： 这个差值就是势垒高度比平衡时增高的数值。 小注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡多子浓度。即： 6、大注入效应 PN 结在正向电压下，势垒区两侧均有非平衡少子的注入。以N 区为例，当有 注入时，由于静电感应作用，在 N 区会出现相同数量的 以使该区仍保持大体上的电中性。 N区少子: N区多子: 且 在N 区中 xn 附近： 在P 区中（-xp） 附近： N 区 这时非平衡多子可以忽略，即： 大注入条件：注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度。即： 在N 区中 xn 附近： 在P 区中（- xp）附近： N 区 以下推导大注入条件下的边界条件、少子分布与扩散电流。当N区发生大注入时，在 处： 由上式可知： 或： 另一方面，已知在有外加电压时，耗尽区中（包括耗尽区边界处）的载流子浓度乘积为： 同理，当P区发生大注入时，有： 以上两式就是大注入下的边界条件之一。 于是可得： 注入的程度取决于外加电压的大小，设由小注入向大注入过渡的转折电压为VK ,则通过令小注入和大注入的少子浓度表达式相等，可分别解得N区和P区的 转折电压 为： *