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第1章 电力电子器件主电路中变换或控制电能的的电子器件。 1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 特征： 功率容量大 工作在开关状态。 由信息电子电路控制。 自身功耗大，常加散热器。 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 稳态损耗： 通态损耗、()断态损耗 例:1.5V*.2KA .5KV*30mA =300W 15W 动态损耗（开关损耗）： 开通损耗、()关断损耗 ---∝工作频率f 主要损耗 低频-------?高频 通态损耗 开关损耗。 1.1.2 应用电力电子器件系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 半控型器件（Thyristor） 可控导通,不能直接控关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) 可直接控制导通与关断 又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) 1.1.4 器件学习要点 工作原理、 基本特性 主要参数 选择和使用中应注意的一些问题。 驱动、保护和串、并联使用这三个问题。 1.2 不可控器件—电力二极管·引言 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 工作原理:略 外形:螺栓型 平板型 PN结面积较大 PN结的电容效应影响工作频率 尤其是高速的开关状态。 1.2.2 电力二极管的基本特性 主要指其伏安特性 门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 (2)动态特性 开通过程： 电压有正过冲 电流上升越快过冲越大 经tfr(正向恢复时间) 才进稳态导通 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.3 电力二极管的主要参数 其它参数 反向恢复时间trr 浪涌电流IFSM 能承受的连续一个或几个工频周期的 过电流。 1.2.4 电力二极管的主要类型 1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长 电流电压容量很高 1.2.4 电力二极管的主要类型 2) 快恢复二极管 （Fast Recovery Diode——FRD） 快速二极管:trr为数百纳秒 超快速:100ns以下，甚至达到20~30ns UF低（0.9V左右） 但其反向耐压多在1200V以下。 1.2.4 电力二极管的主要类型 肖特基二极管 反向恢复时间很短（10~40ns）。 正向恢复过程无明显电压过冲。 正向压降低 效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。 肖特基二极管的弱点 正向耐压降低，多用于200V以下。 反向稳态损耗增大 1.3 半控器件—晶闸管 晶闸管（Thyristor）： 可控硅整流器 （Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年产品化 1958年商业化。 开辟了电力电子技术时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 电压和电流容量最高12KV1KA,6.5KV4KA，工作可靠 在大容量的场合具有重要地位。 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1 晶闸管正压 IG=0 ? V1 V2 关断 IG0 ? V1导通 ? V2 导通 当IA足够大时(擎住电流IL): IC1 可维持V1导通V2导通 --晶闸管导通 此时如IG=0 , 晶闸管仍导通 但若IA过小(保持电流IH): IC1 无法维持V1导通 V1关断?V2关断 --晶闸管关断 2 晶闸管反压 --晶闸管关断 1.3.2 晶闸管的基本特性 晶闸管正常工作时的特性： 正常导通：正压并有门极触发 导通后，门极就失去控制作用。 正压可能（误）导通的情况： 过压；过电压上升率du/dt；过温 门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 关断：反压 或使晶闸管的电流降”零” 1.3.2 晶闸管的基本特性 1） 静态特性 1.3.2 晶闸管的基本特性 1) 开通过程 开通时间 tgt~ 5?s以上 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.3晶闸管的主要参数 断态电压临界上升率du/dt —过大将使结电容电流误导通晶闸管。