传感器检测10第十章介绍.pptVIP

第六节　光电式传感器 一、色敏光电传感器 P + N P SiO2 电极1 电极2 电极3 1 2 3 色敏光电传感器和等效电路 色敏光电传感器是光电传感器的一种特殊类型。它是两只结深不同的的光电二极管组合体。 二、光固态图象传感器 由光敏元件阵列和电荷转移器件组成。核心是电荷转移器件，最常用的是电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)。CCD自1970年问世以后，由于它的低噪声等特点，广泛的应用在微光电视摄像、信息存储和信息处理等方面。 1．CCD的结构和基本原理 P型Si 耗尽区 电荷转移方向 Ф1 Ф2 Ф3 输出栅 输入栅 输入二极管 输出二极管 SiO2 CCD的MOS结构 势阱的产生 MOS的金属电极加正压，电极下的P型硅区域内空穴被赶尽，其中无导电的载流子，形成耗尽层。它是电子的势阱。势阱的深浅取决于U的大小。 电荷的存储 势阱具有存储电荷的功能，势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。 CCD器件将物体的光像形成对应的电像时，就是CCD器件中上千个相互独立的MOS单元势阱中存储与光像对应的电荷量。 读出移位寄存器 电荷图像的输出电路 　　实现势阱下的电荷从一个MOS元位置转移到另一个MOS元位置，并依次转移并传输出来。 三相CCD电极的结构 MOS上三个相邻电极，每隔两个电极接在一起。由3个相位差120°时钟脉冲驱动。 电荷转移的控制方法，类似于步进电机的步进控制方式。也有二相、三相等控制方式之分。以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 (a) Ф1 Ф2 Ф3 t0 t1 t2 t3 t Ф (b) 电荷转移过程 t=t0 t=t1 t=t2 t=t3 0 (1)光照光敏元，光敏元中的光敏二极管产生光生电子空穴对，电子注入对应的MOS势阱中，光像变为电像—电荷包(光积分)。 (2)积分周期结束，控制信号使转移栅打开，光生电荷通过转移栅耦合到移位寄存器中，通过移位寄存器并行输出。 (3)转移栅关闭后，光敏单元开始下一行图像信号积分采集。 转移栅 光积分单元 不透光的电荷转移结构 (a) 输出 2．线型CCD图像传感器 实用的线型CCD图像传感器为双行结构，单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移到上、下方的移位寄存器中，然后，在控制脉冲的作用下，自左向右移动，在输出端交替合并输出，形成了光敏信号电荷的顺序。 转移栅 光积分单元 不透光的电荷转移结构 光积分区 输出 转移栅 (a) (b) 线型CCD图像传感器 输出 二相驱动 视频输出 ? 行 扫 描 发 生 器 输出寄存器 检波二极管 二相驱动 感光区 沟阻 P1 P2 P3 P1 P2 P3 P1 P2 P3 感光区 存储区 析像单元 视频输出 输出栅 串行读出 面型CCD图像传感器结构 (a) (b) 3．面型CCD图像传感器 光栅报时钟 二相驱动 输出寄存器 检波二极管 视频输出 垂直转移 寄存器 感光区 二相驱动 (c) 检测技术及应用 机电工程学院* 第七章 光电式传感器 光电传感器：将光量转换为电量的器件。 是光电检测系统中的关键元件。 外光电效应：在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 内光电效应：当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象。多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内光电效应分别称为光电导效应和光生伏特效应。 一个电子只能接受一个光子的能量，要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。 根据能量守恒定理 式中 m—电子质量；v0—电子逸出速度。 该方程称为爱因斯坦光电效应方程。 光 阳极 光电阴极 光窗 光电倍增管及其基本特性 入射光很微弱时，普通光电管产生的光电流很小，只有零点几μA，很不容易探测。常用光电