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第三章 逻辑门电路 §3-2 CMOS门电路 CMOS或门、与门及与或非门 或门：图3.2-4，45页 与门：图3.2-5，46页 与或非门：图3.2-6，46页 OD门和CMOS三态门 （54页）OD门：输出级只保留NMOS管，去掉PMOS管，从而形成漏极开路门。OD门不能向负载提供电流，但可以做得吸收很大的灌电流。使用时需要外加漏极电阻，但外加漏极电阻会降低OD门的速度。 （54页）三态门：可以通过输出端后加传输门来实现；也可以在输出缓冲非门的上下各加一个开关（PMOS管和NMOS管）来实现，如图3.2-17。 练习题 和TTL电路相比，CMOS电路最突出的优点在于（ ） A、可靠性高 B、抗干扰能力强 C、功耗低 D、速度快 集电极开路的TTL“与非”门简称为______ 门。 某集成电路芯片，查手册知其最大输出低电平VOLmax=0.4V，最大输入低电平VILmax=0.8V，最小输出高电平VOHmin=2.6V，最小输入高电平VIHmin=2.0V，则其低电平噪声容限VNL= ( )。 A、0.4V B、 0.6V C、 1.6V D、 1.2V 三态门可能输出的三种状态是_______________ CMOS的最基本的逻辑单元是由_________ 和_________ 按照互补对称形式连接起来构成的。 4．TTL门电路的输出特性 （1）高电平输出特性（拉电流负载特性） 15 4.3V 5 2.7V 10 VOH iL(mA) 0 TTL门电路的电气特性 VOH 1 VDD 负载 iL 定性分析：随着负载电流 iL增加，VOH下降 定量分析：高电平输出电流IOHmax=0.4mA （2）低电平输出特性（灌电流负载特性） 当负载电流增加时，VOL逐渐升高。 IOLmax=8mA。 TTL门电路的电气特性 VOL 1 VDD 负载 iL VOL 15 2.0V 5 1.0V 10 iL(mA) 0 以下是用门电路来驱动LED的两种接法，哪一种较为合理？ （3）扇出系数 把一个门电路带同类门电路的个数称为电路的扇出系数。 TTL门电路的电气特性 +5V LED R 1 LED R 1 例：已知门电路的参数 IOHmax=1.0mA IOLmax=－20mA GP G1 Gn 试求 门 GP 的扇出系数No应为多少？ 对门P输出高电平和低电平时的情况分别讨论，然后取两个数中一个较小的作为门的扇出系数。 解： TTL门电路的电气特性 IIH= 50?A IIL = －1.43mA GP G1 Gn 解： ? 当门P输出为低电平时， ? 当门P输出为高电平时， N应选取{ NOL，NOH}min，即 N＝10 TTL门电路的电气特性 5. TTL门电路动态特性 （1）传输延迟时间 1 vO vI tpd的大小是由三极管开关时间，分布电容延迟等综合因素决定的，不易准确计算，一般在TTL集成电路数据手册中给出。 由于tpd的存在，对门电路的工作频率给出了限制。 TTL门电路的电气特性 tPHL tPLH vI vO （2）电源的动态尖峰电流 TTL门电路在静态时，门电路的电流很小；在转换过程中，由于输出级T4、T1瞬间同时导通而出现电源的尖峰电流。 TTL门电路的电气特性 vI ICC 结论：门电路的动态功耗要比静态功耗大，而且工作频率f越大，功耗越大。 ICC R3 120 T1 T4 Y VCC TTL集电极开路门 TTL集电极开路门（Open—Collector Gate, OC门） 1、线与的概念 将门电路的输出用一条线直接相连 A B C D L1 L2 L L=L1·L2 2、普通门电路不能线与 1 0 截止 导通 产生大电流的结果 1.抬高门2输出低电平 2.会因功耗过大损坏门器件 TTL集电极开路门 门1 门2 L2 L1 R3 120 T1 T4 VCC R3 120 T1 T4 VCC Vcc→门1的T4→门2的T1产生一个很大的电流 集电极开路门的电路结构和逻辑符号 B A L ◇ RC VCC＇ L ◇ TTL集电极开路门 RC VCC’ ? OC门实现“线与”逻辑 TTL集电极开路门 F RL VCC’ B A ◇ D C ◇ 分别用TTL“与非”门和OC门，实现函数 画出逻辑电路图。 解： TTL集电极开路