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铁磁学(下) 曹庆琪 Email: qqcao@nju.edu.cn Tel: 第八章 磁化曲线和磁畴结构 8.1 技术磁化的机理 8.2 剩磁点上磁畴磁化强度的分布 8.3一次退磁后, H = 0, M = 0点上磁畴磁化的分布 * * (1) 三种磁化过程. 退磁态 , 在外加磁场下, 磁化强度改变为 ?Vi , 畴壁位移 DWD, ?cos ?i , 磁畴转动 DR, ?MS , 内禀磁化, 饱和磁化强度的增加, 三种磁化过程示意图 图3.1.1各阶段的磁化曲线 (2) 磁化曲线的各个阶段. a、初始部分. 主要为可逆畴壁位移和可逆磁畴转动. b、陡峻部分. 不可逆畴壁位移 (多畴) 为主; 不可逆磁畴转动 (单畴) 为主. c、膝点以上. 主要为可逆磁畴转动 . d、高场, 趋近饱和律. 顺磁化过程 (3) 与磁化曲线相关的一些因素 磁畴结构的具体类型. 磁场变化的频率 磁后效 材料形状 图8.2.1磁化过程中各点磁畴磁化矢量的分布 (单轴晶体) 磁场足够高的时候磁化矢量都排列在差不多平行于磁场的方向上 磁场减小到H=0时,剩磁点,各个磁化矢量将转回到与它最靠近的易磁化方向上 (单轴晶体) 对三轴晶体(K10的立方晶系材料) 对四轴晶体(K10的立方晶系材料) 图8.2.3 各种磁性材料的Mr/Ms的期待值 其他因素对剩磁的影响 饱和 剩磁点 反向磁化H=-(Hc+ΔH) 撤去反向场,使H=0,M=0 正向磁化 畴壁位移反磁化情况 设反转部分最大角度为?0(畴壁位移机制) 应有 可得 (单轴晶体) 对立方晶体 反磁化机制为不可逆转运时 易磁化方向与外磁场成45°角的粒子,其磁化矢量最容易反转 半顶角为30°及60°的园锥之间的磁化矢量发生了反转 *
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