第二章数字电路研究.pptx

第二章 数字电路 概述 2.1 逻辑信号与门电路 2.2 逻辑系列 2.3 CMOS逻辑 2.4 CMOS电路的电气特性 2.5 双极逻辑 1 思考几个问题 在模拟的世界中如何表征数字系统？ 如何将物理上的实际值 映射为逻辑上的 0 和 1 ？ 什么时候考虑器件的逻辑功能； 什么时候考虑器件的模拟特性？ 2 前面介绍了逻辑变量是双值变量 概述 工程上： 用“0”表示VL，用“1”表示VH称正逻辑。 用“0”表示VH，用“1”表示VL称负逻辑。 3 开关电路见右图 理想开关 4 特点：单向导电。正向导通，电阻很小；反向截止，电阻很大 二极管（Diode）开关 5 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT), 俗称三极管。Transistor 源于transfer resistor 的合成单词。德州仪器（Texas Instrument, TI）1954生产出了世界上第一片硅晶体管。 6 2.1 逻辑信号和门电路 如何获得高、低电平？ 高电平对应 0 还是 1？ 7 2.1 逻辑信号与门电路 从物理的角度 考虑电路如何工作，工作中的电气特性 实际物理器件不可避免的时间延迟问题 从逻辑角度 输入、输出的逻辑关系 三种基本逻辑：与、或、非 8 2.2 逻辑系列 （Logic Family） 同一系列的芯片具有类似的输入、输出及内部电路特征，但逻辑功能不同。 不同系列的芯片可能不匹配 CMOS 逻辑 TTL 逻辑 9 CMOS: VDD=+3V～+18V； VL=0V; VH= VDD Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Logic互补式金属-氧化层-半导体逻辑电路。速度慢，功耗小，抗干扰强，集成度高。 常用的逻辑器件: TTL: VCC=+5V; VL=0.2V; VH=3.6V Transistor Transistor Logic(TTL) 晶体管晶体管逻辑 电路。速度中等，功耗较大，性价比高。 10 2.3 CMOS逻辑 1、CMOS逻辑电平 未定义 典型的5V电源电压 11 2、MOS晶体管 N沟道 (Not point in) 通常：Vgs = 0 Vgs = 0 Rds很高（106） 截止状态 Vgs  Rds  导通状态 12 MOS晶体管 P沟道 (Point in) 通常：Vgs = 0 Vgs = 0 Rds 非常高 截止状态 Vgs  Rds  导通状态 13 MOS晶体管 MOS晶体管栅极阻抗非常高（兆欧） 无论栅电压如何 栅－漏、栅－源之间几乎没有电流 （漏电流 leakage current , A 微安10-6A ） 栅极与源和漏极之间有电容耦合 信号转换时，电容充放电，功耗较大 14 MOS管的基本开关电路 只要电路参数选择合理 输入低，截止，输出高 输入高，导通，输出低 15 MOS管的基本开关电路 输入为低，截止状态 (off)，输出为高. 输入为高，导通状态 (on)，输出为低. 16 3、基本的CMOS反相器 工作原理 1、VIN = 0.0V VGSN = 0.0V，Tn截止 VGSP = VIN –VDD = –5.0V，Tp导通 VOUT  VDD = 5.0V 2、VIN = VDD = 5.0V VGSN = 5.0V，Tn导通 VGSP = VIN –VDD = 0.0V ，Tp截止 VOUT  0 17 没有大的工作电流流过MOS管， 功耗较低. Vin Vout Low High High Low 从N、P沟道中抽象出来逻辑操作表示 18 4、CMOS与非门 工作原理： 1、A、B至少有一个为低 T1、T3至少有一个截止， T2、T4至少有一个导通； Z为高（  VDD） 2、A、B都为高 T1、T3都导通， T2，T4都截止， Z为低（  0V） Z = ( A·B )’ T1、T3串联 T2、T4并联 19 4、CMOS或非门 工作原理： 1、A、B都为低 T1、T3都截止， T2，T4都导通， Z为高（ VDD） 2、A、B至少有一个为高 T1、T3至少有一个导通， T2、T4至少有一个截止； Z为低（ 0V） Z = ( A+B ) ’ T1、T3并联 T2、