原子层沉积培训详解.pptxVIP

原子层沉积培训;培训类容;单原子层沉积（atomic layer deposition，ALD），起初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy)；最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。 由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。 但是到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低至几个纳米数量级。因此原子层沉积技术的优势就体现出来，如单原子层逐次沉积，沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来，而沉积速度慢的问题就不重要了。;典型的ALD沉积过程—Al2O3沉积过程;典型的ALD沉积过程—TiO2沉积过程;ALD设备示意图;ALD技术的主要优势;ALD技术的优势示意图;各种薄膜沉积方法比较：;ALD应用;半导体及纳米电子学应用;金属栅电极（metal gate）;金属的连接;光电材料及器件;有机发光显示器反湿涂层;MEMS微机电系统;ALD应用实例;CMOS High-k Dielectrics;Semiconductor Memory;Gate dielectrics non-Si devices;ALD Lift-off Technology;Applications: High Aspect Ratio;Nanotube Formation;Butterfly PC Waveguide;Butterfly PC Waveguide;Butterfly PC Waveguide;Gate-Controlled p-n Junction of Graphene;原子层沉积系统 (Atom Layered Deposition);开机：;;主腔室真空;;2. 编写和调用RECIPE;（2）页面2设置;（3）页面3设置;（4）页面4设置;（5）页面5设置;3.放置样品 (1)首先Vent工艺氮气进入LoadLock，打开进样室盖子后将样品放在托盘上。给主腔室充气至一个大气压。点击CHANBER LID栏上的“OPEN”，将反应内腔升起。;(2)手动给LoadLock腔充气，当主腔室（已充气）和LoadLock之间的压强差小于10hPa时， 开始传递样品。按如下顺序进样： ;4.工艺前的准备工作;（3）在MANUAL 菜单的（2）页面内设置工艺温度 TE2为样品台的设置温度 TE1max.为加热温度（一般比TE2高150℃）;5.工艺过程;;7.清洗管道;8.关机;3.关闭ALD泵和ALD主机电闸;一．进样流程 首先Vent工艺氮气打开进样室的盖子，将样品放置在托盘上，抽进样室真空，再充氮气至一个大气压。 再充主腔室氮气至1个大气压， 在Actions界面(1)中vent reactor中点Start,开始充气，进Deposit界面观察Vent后气压变化 等到Diff pressure sp为15hPa后，点Actions 界面内(1)点cancel终止充气。 开反应腔Chamber LID点OPEN(将反应腔的上盖打开，准备接受样品) 回到Loadlock界面Handyman中可以看到三个绿灯是亮的） 点Load wafer,闸板阀打开，将传送杆手动拉到最左端，这时在主室可以看到样品已经传送至反应腔正下方，然后点Pick wafer,将样品放置到反应腔的托盘上。再把传送杆拉到原始位置，之后关闭闸板阀。 最后去Actions界面点CLOSE关闭反应腔。 点Actions界面的Evacuate Reactor抽主腔室的真空，直到观察IMspace至10hPa左右。 ;1.在MANUAL-（2）页内手动加热 TE2 设置反应温度 TE1 max 设定加热电阻温度（比反应温度高150°C） 到Deposit 页面看到左上方六个方框全绿时点START，(此时设备旁报警灯为绿色（之前为黄色） 2．点击LID 关反应腔室的盖子， Soft Pumpdown. V2开（抽速慢） Main Pumpdown. V1开（抽速快） 3.Heating状态灯为亮，反应腔开始升温，直到预设温度。 4.这时一定要将源瓶打开（阀门开两圈即可） 5.Temperature Stabilization 5min 看源瓶内是否有剩余 Actions 页-(2)检测每个源的蒸发量，看脉冲阀每次的量是否均匀 换瓶前手动开关阀门，直到每次的蒸发量脉冲稳定为止。 ;三. 卸载（Unload）;谢谢！