第一章 半导体中的电子状态介绍.ppt

半导体物理学;●能带结构;本课程先修课程;考核方式;肖克利;第一章 半导体中的电子状态;主要内容;§ 1.1 半导体的晶体结构和结合性质;1. 金刚石型结构和共价键;[111];正四面体结构;（100）面上的投影;金刚石结构;2. 闪锌矿结构和混合键 ;GaAs闪锌矿结构;3. 纤锌矿型结构;电子的共有化运动 导带、价带、禁带的形成 ;(1)、孤立原子中的电子状态 其状态由下列量子数确定： n:主量子数，1，2，3，… l: 轨道(角)量子数，0，1，2，（n－1） ml:磁量子数，0， ± 1， ±2， …, ±l ms:自旋磁量子数， ±1/2;;;电子的共有化运动 ——原子组成晶体后，由于相邻原子的“相似”电子壳层发生交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上，因而，电子将可以在整个晶体相似壳层间运动 ——内层电子共有化程度弱;2. 能带的形成;;能带中能量不连续, 当原子数很多时，导带、价带内能级密度很大，可以认为能带准连续 每个能带中的能级数目与晶体中的原子数有关 能带的宽窄由晶体的性质决定, 与所含的原子数无关;思考：Si的能带？;Si : 1s22s22p63s23p2;半导体的能带示意图;价键电子与能带的对应关系： 成键电子对应于价带 自由电子对应于导带;;3. 半导体电子状态与能带 布里渊区;k 称为波矢，大小为：;自由电子E与k 的关系;;晶体中电子的波动方程;电子在晶体中的分布几率是晶格的周期函数，晶体中各处分布几率不同，但不同原胞的等价位置上出现的几率相同。;电子能量分布-布里渊区;k值只能取分立值——对应一个能级，线度为1/L 布里渊区——对应一个能带 第一布里渊区,对应内壳层分裂的能级能量 第二布里渊区,对应较高壳层的能级能量 简约布里渊区 将其他区域平移2nπ/a移动至第一布里渊区，这时第一布里渊区称为简约布里渊区 这一区域的波矢k 称为简约波矢 允带和禁带 晶体中的电子能量某些能量区域是禁止的，即禁带.允带以禁带分隔,禁带出现在布里渊区边界;金刚石结构的第一布里渊区是一个十四面体;§1.3 半导体中电子的运动 有效质量;从粒子性出发,它具有一定的质量m0和运动速度v,它的能量E和动量p分别为:;自由电子E与k 的关系;对E(k)微分,得到:;加速度 a 有外力F作用于电子,在dt 时间内, 电子位移了ds 距离 外力对电子所作的功等于能量的变化,即:;半导体中的电子;三维晶格布里渊区;以一维情况为例;令;m* 的特点;c. m*有正负之分;电子平均速度与能量的关系:;(1)在整个布里渊区内，v~k不是线形关系;加速度 a;电子在外力 作用下运动;§1.4 半导体中载流子产生及导电机构;(a) A photon with an energy greater than Eg can excite an electron from the VB to the CB. (b) When a photon breaks a Si-Si bond, a free electron and a hole in the Si-Si bond is created.;Thermal vibrations of atoms can break bonds and thereby create electron-hole pairs.;不满带：;;A pictorial illustration of a hole in the valence band wandering around the crystal due to the tunneling of electrons from neighboring bonds.;假设价带内失去一个k态的电子，而价带中其它能级均有电子占据。;价带内k态空出时，价带的电子产生的总电流，就如同一个带正电荷q的粒子以相同k状态的电子速度v（k）运动时所产生的电流。 ;半导体中的载流子：能够导电的自由粒子;2. 半导体中空穴的状态;速度 v;空穴的能量;空穴的有效质量记为mp* ，令;空穴的波矢kP、能量E(kp)、有效质量m*p及加速度 ：;§1-5 半导体的能带结构;半导体能带极值附近E(k)的分布;1. k 空间的等能面;其中：;???项后：;;(2) 极值点k0正好在某一坐标轴上;mt为横向有效质量, ml为纵向有效质量;(3) 极值点k0在原点;E(k)等能面的球半径为:;将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量的关系为:;3. Si.Ge.GaAs半导体的能带结构;硅导带等能面示意图;（2）价带;;2. 元素半导体Ge;导带的极小值在[111]方向的布区边界，