电子技术(模拟部分)-2-二极管及其典型应用介绍.ppt

绪论 二极管及其典型应用 晶体三极管及其放大电路 场效应管及其放大电路 级联放大电路 集成运放及其典型应用 负反馈放大电路 典型功能电路设计及仿真调试;半导体二极管图片;问题： 1.二极管具有怎样的物理结构？ 2.二极管两端的电压和电流符合欧姆定律吗？ 3.二极管有哪些类型？ 4.二极管有哪些典型应用？ ;2.1二极管特性 2.2二极管工作原理 2.3二极管结构 2.4二极管典型应用电路 2.5 二极管主要参数 2.6常用二极管器件介绍;2.1 二极管特性;一、二极管符号及其特性;1.理想二极管模型;2. 折线二极管模型;3.二极管交流模型;2.2 二极管工作原理;一、 半导体基础知识;本征半导体;锗晶体的共价键结构示意图 半导体能带结构示意图;1. 本征半导体中有两种载流子;? 本征半导体的载流子的浓度;? 载流子的产生与复合;杂质半导体;? N型半导体;? P型半导体;举例：锗原子密度为4.4×1022/cm3 ，锗本征半导ni=2.5×1013/cm3，若每104个锗原子中掺入1个磷原子（掺杂密度为万分之一），则在单位体积中就掺入了 10-4×4.4×1022=4.4×1018/cm3个砷原子。 则施主杂质浓度为： ND= 4.4×1018/cm3 （比ni大一万倍）;杂质半导体的载流子浓度;结论：在杂质型半导体中，多子浓度比本征半导体的浓度大得多，而少子浓度比本征半导体的浓度小得多，但两者乘积保持不变。;PN结的形成 PN结的单向导电性 3.PN结的反向击穿 4.PN结电容 5.PN结的光电效应 6.PN结的电致发光;1.PN结的形成;内电场阻止多子扩散 ;?;2.PN结的单向导电性;2）PN结加反向电压时的导电情况;小结： PN结具有单向导电性。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；;式中 Is ? (反向)饱和电流; UT = kT/q ?等效电压 k ? 波尔兹曼常数；q为电子的电量； UD为PN结两端的电压； ID为PN结的电流； 当T=300k（室温）时 ，UT= 26mv;;雪崩击穿;?势垒电容CB;注意：势垒电容和扩散电容均是非线性电容,并同时存在。外加电压变化缓慢时可以忽略，但是变化较快时不容忽略。; 如果在PN结加正偏电压UD，外电场将消弱内建电场对载流子扩散的阻挡作用。在外加电场满足一定条件下，注入到耗尽区内的电子和空穴通过辐射复合而产生光子的速率将大于材料对光子的吸收速率，从而在半导体内产生光增益。; PN结用导线连接成回路时，载流子面临PN结势垒的阻挡，在回路中不产生电流。当有光照射PN结材料上时，若光子能量大于半导体的禁带宽度，则在PN结的耗尽区、P区、N区内产生光生的电子-空穴对，耗尽区内的载流子在内建场的作用下电子迅速移向N区，孔穴移向P区，在回路内容形成光电流，而P、N区内产生的光子无内建电场的作用只进行自由的扩散运动，多数因复合而消失，对光电流基本没有贡献。;一、二极管结构 二、二极管类型;;分类;2.4 二极管典型应用电路;整流电路:把交流变为直流的电路。;桥式整流;稳压电路组成：稳压管和调节电阻R。;工作原理：利用二极管单向导电性，限定输出信号的幅度。;工作原理：当输入ui>0时，二极管瞬间导通，C快速充电，Uc=V1，充电结束，R无电流，输出uo=0. 当输入ui<0时， 二极管截止，C充放电缓慢， 输出uo= -Uc+ui = -V1-V2。;2.5 二极管的主要参数;一、常用二极管的命名方法;二、常用半导体二极管及其特性参数;重点：晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程。 难点：1.两种载流??? 2.PN结的形成 3.单向导电性 4.载流子的运动 ;? 晶体二极管实际上就是一个PN结，描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述。 即二极管两端的电压和流过的电流满足I=Is(e U/UT-1)。 硅管：当UD>0.7V时，二极管导通，导通后，UD=0.7V 锗管：当UD>0.3V时，二极管导通，导通后，UD=0.3V ? 稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工作区在反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限流电阻。 ? 晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅。 ? 半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光—电、电—光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。;第2章 结束