020201半导体器件基础研究.ppt

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2017-05-04 发布于湖北
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第2章半导体器件基础 ;本章基本要求;2.1 半导体基础与PN结 ;（1）热敏性－制成各种热敏元件;2.1.2 本征半导体;共价键结构; 在温度升高或者外界供给能量下，某些价电子可能获得足够的能量挣脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，称为“空穴”。空穴可以看成是带正电的粒子。由热激发产生的空穴和自由电子的现象称为本征激发。本征激发时，电子和空穴成对出现。 ;复合、动态平衡;本征半导体中的两种载流子;本征半导体的特点：;2.1.3 杂质半导体;1. N型半导体;2. P型半导体;结论;2.1.4 PN结;2.1.4 PN结;2.1.4.1 PN结的形成 ;2.1.4.2 PN结的单向导电性;2.1.4.2 PN结的单向导电性;2.1.4.2 PN结的单向导电性;2.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(2) 面接触型二极管 ;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号;1．正向特性 ;2．反向特性 ;3．击穿特性 ;1．额定整流电流IF 2．最高反向工作电压URM 3．反向饱和漏电流和最大反向电流IRM 4．直流电阻RD ;5．交流电阻 6．最高工作频率二极管最高工作频率为是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。 ;1．正向、反向特性的测定 ;思考题;思考题;作业题;预习内容