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电 子 线 路 主讲人：郑晓东 第一章 基本半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;现代电子学中，用的最多的半导体是硅（+14）和锗（+32），它们的最外层电子（价电子）都是四个。;一、本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的激发和复合;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;;P型半导体;漂移运动;－;1.空间电荷区中没有载流子。;1.1.4 PN结的特性;－;二、PN 结反向偏置;三、PN 结伏安特性;四、PN 结的击穿;四、PN 结的击穿;1.2.1基本结构及符号;实际二极管的照片; 1.2.2伏安特性 实际特性曲线; 在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析是可行的。 ;1稳压二极管（齐纳二极管） ;(1) 稳定电压VZ;（2） 变容二极管;（3） 肖特基二极管;（4） 光电子器件;2. 发光二极管;1.2.4 二极管的主要参数;3. 反向电流 IR;4. 最高工作频率 / 极间电容;扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。;RL;2、限幅电路;3、 稳压电路;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;1.3.1 BJT的结构及符号; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;集成电路中典型NPN型BJT的截面图; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;(1)发射区向基区注入电子: 发射区的多数载流子扩散到基区，形成电流IEN 基区空穴也扩散到发射区形成电流IEP 总发射极电流 IE= IEN+IEP ≈IEN ;2. 电流分配关系; ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。;3. 三极管的三种组态; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;1.3.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。; (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM;(3) 反向击穿电压;1.3.5 温度对BJT参数及特性的影响;P沟道;1.4.1 结型场效应管;2. 工作原理;② vDS对沟道的控???作用;③ vGS和vDS同时作用时;综上分析可知;（1）输出特性曲线;予夹断曲线;UGS;P沟道结型场效应管的特性曲线;输出特性曲线;1.4.2 绝缘栅型场效应管;1. N沟道增强型MOSFET的工作原理;（2）工作原理;（2）vDS对沟道的控制作用;当vGS一定（vGS VT ）时，;预夹断后，vDS?;（3） vDS和vGS同时作用时;2. N沟道耗尽型MOSFET;2. V-I 特性曲线;1.4.3 场效应管的主要参数;2. 低频互导gm ;三、极限参数 ;1.4.4各种FET的特性比较及使用注意事项;半导体器件的命名