光刻工复习题.docVIP

理论部分 填空题 光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶 在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。有四个步骤：分滴，旋转分开，旋转甩掉，溶剂挥发。 曝光的方式有 接触式 、接近式曝光和投影式曝光。 光刻中有使用不同紫外光波长，波长在436纳米和157纳米之间的每种波长都有各自的波名称。其中波长为436nm的波名称是g光线，波长为405nm的波名称是h光线 ，波长为365nm的波名称是i光线 ，波长为248nm的波名称是深紫外(DUV) ，波长为157nm的波名称是真空紫外(VUV) 曝光的方式有接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光 2.光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘、曝光、显影，坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 3.正性光刻胶和负性光刻胶是两种主要的光刻胶。对于负性光刻胶，曝光部分 不会溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形 相反 对于正性光刻胶，曝光部分容易溶解 ，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形 相同 。 4.刻蚀的方法主要有湿法刻蚀、干法刻蚀和和等离子体。 光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 判断题 1． 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。（ F ） 2． 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。（ F ） 3． 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长