LED照明散热与分解.ppt

LED照明散热与分析;结温 结温对LED性能的影响 LED热阻及计算 ;LED的全称Light Emitting Diode,即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。LED可以直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。 ;LED发光原理;;LED芯片结构图;;;;大功率LED的散热问题 ;LED结温;产生LED结温的原因 ;;c、实践证明，出光效率的限制是导致LED结温升高的主要原因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使LED极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于LED芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射系数，致使芯片内部产生的极大部分光子(90％)无法顺利地溢出介面，而在芯片与介质介面产生全反射，返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收，并以晶格振动的形式变成热，促使结温升高。 ;d、显然，LED元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件。散热能力强时，结温下降，反之，散热能力差时结温将上升。由于环氧胶是低热导材料，因此P—N结处产生的热量很难通过透明环氧向上散发到环境中去，大部分热量通过衬底、银浆、管壳、环氧粘接层， PCB与热沉向下发散。显然，相关材料的导热能力将直接影响元件的热散失效率。一个普通型的LED，从P—N结区到环境温度的总热阻在300到 600℃／w之间，对于一个具有良好结构的功率型LED元件，其总热阻约为15到30℃ ／w。巨大的热阻差异表明普通型LED元件只能在很小的输入功率条件下，才能正常地工作，而功率型元件的耗散功率可大到瓦级甚至更高。;;1、结温对LED性能的影响;1.1 结温对光通量的影响;1.2 高温下器件性能的衰变;永久性衰变的原因: (1) 材料内缺陷的增殖。 芯片的生长采用MOCVD技术在GaAs、蓝宝石衬底等外延生长InGaAlP或InGaN等材料，外延层之间存在着或多或少的晶格失配，从而在界面上形成大量的诸如位错等结构缺陷，在较高温度时，这些位错会快速增殖、繁衍，直至侵入发光区，形成大量的非辐射复合中心，严重影响器件的注入效率与发光效率。 ;（2）环氧树脂变性 封装LED用的环氧树脂存在一个重要特性，当温度超过一特定温度时（Tg=125度），环氧树脂将从一种刚性的类似玻璃状态转变为一种柔性的类似橡胶状的物质。此时材料的膨胀系数急剧增加，形成一个明显的拐点，致使芯片电极与引线收到额外的压力，而发生过度疲劳乃至脱落损坏。另外环氧树脂处于较高温度时（小于Tg)与芯片临近的部分会逐渐变性、发黄，从而影响环氧树脂的透光性能。;1.3结温对发光波长的影响;结温对发光波长影响的数学表达式为：;;人眼视觉效率曲线;;1.4 结温对LED正向电压的影响;LED伏安特性;;1.5结温对LED使用寿命的影响;Life=106 e-0.08Thour;;在散热设计中要提出最大允许结温值TJmax,实际的结温值TJ应小于或等于要求的TJmax,即TJ≤TJmax ; 2 LED热阻;式中：Tj、Ta分别为对应LED器件PN结和器件周围的环境温度。Rth为LED器件PN结到环境温度之间的热阻；PD为器件的热耗散功率，约等于器件的电输入功率。PD=VF×IF;热阻的计算;稳态时LED热阻等效连接图;;;;降低热阻的方法 首先，用于LED的各热阻要低，即要求有良好的导热性能。 其次，结构设计要合理。不同的结构，热阻不一样，散热效果也不一样。 再次，各材料间的导热性能要连续匹配。材料间的导热连接良好，避免在导热通道中产生散热瓶颈，确保热量???内到外层层散发。 一个具有良好结构的大功率LED器件，总热阻约为 15~30 ℃/W;本堂课要求