模电第二章1晶体管预案.pptVIP

;电路的基本形式及它们之间的联系;双极型晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。;双极型晶体三极管，简称晶体管，常称三极管，具有三个电极。;e b c;集电区;P;集电区; 内部：发射区杂质浓度高；基区很薄且杂质浓度很低；集电区面积大。 外部：发射结加正向电压；集电结加反向电压。;发射区;N;N;载流子;2.1.1 工作原理;2.1.1 工作原理;2.1.1 工作原理;公共端;2.1.1 工作原理;公共端;公共端;三极管的电流放大作用;静态特性曲线：指各极电压与电流之间的关系曲线。是晶体管内部载流子运动的外部表现，故也称外部特性。;当维持 恒定(作为参变量)时，基极电流 (输入电流)随 (输入电压)的变化曲线称为共发射极输入特性曲线;;集电结进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减小。特性曲线右移;vCE ?1V;2.1.2晶体管的静态特性曲线;2.1.2晶体管的静态特性曲线;;以输入电压 或电流 为参变量，集电极电流 (输出电流)随 (输出电压)的变化曲线为共发射极输出特性曲线;2.1.2晶体管的静态特性曲线;iC(mA );2.1.2晶体管的静态特性曲线;（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。;2.1.2晶体管的静态特性曲线;2.1.2晶体管的静态特性曲线;关于 和 的关系;与二极管的伏安特性曲线类似，如果保持输入电流不变，当温度升高时，晶体管的输入特性曲线左移。;与二极管伏安特性曲线类似，温度升高时，反向饱和电流和反向穿透电流亦升高。;1、共发射极;交流（短路）电流放大系数;例：VCE=6V时：iB = 40 ?A, iC =1.5 mA； iB = 60 ?A, iC =2.3 mA。;2、共基极;1、集电极—基极反向电流：ICBO;2、集电极—发射极电流ICEO;3、发射极—基极反向电流IEBO;1、集电极最大允许电流 ICM;2、反向击穿电压 V(BR）CBO 发射极开路时的集电极基极间的反向击穿电压。一般比较高，从几十伏到几千伏不等。;V （BR） CEO 基极开路时的集电极发射极间的击穿电压。比V(BR）CBO低。;V （BR）EBO 集电极开路时的发射极基极间的反向击穿电压。该电压一般比较低，约5—10V左右。;基射间接反偏压;3、最大集电极允许功耗 PCM;iC;2.1.4晶体管的主要参数; 交流工作时，由于存在结电容，所以频率愈高，电???放大倍数β愈小，当β =1时的输入信号频率即fT 。 ;请自行阅读课本;单个元件的参数精度不高，且受温度影响较大，但参数对称性及温度对称性较好。批量间差异较大。;（ NPN管 ，c极电位高于e极，否则反向应用,?很小);2）PNP管：(1) -0.2V 0V -0.1V (2) -3V -0.2V 0V (3) 1V 1.2V -2V;2、晶体管三个电极的电流方向如图2。 已知：I1=-1.2mA, I2=-0.03mA，I3=1.23mA。 确定晶体管类型、标出各电极并近似确定?及?。;+5V;管子工作在饱和状态;例： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = -2V，2V，5V时， 晶体管分别工作在哪个区？;IC ICmax (=2mA) ， 管子工作在放大区。;作业