第3章南昌大学低频电子线路技巧.pptVIP

南昌大学低频课件概述;3.1　MOS 场效应管;; N 沟道 EMOS 管外部工作条件; N 沟道 EMOSFET 沟道形成原理; vDS 对沟道的控制(假设 vGS VGS(th) 且保持不变); 当 vDS 增加到使 vGD ? = VGS(th) 时 → A 点出现预夹断; 若考虑沟道长度调制效应; MOS 管仅依靠一种载流子(多子)导电，故称单极型器件。;　　由于 MOS 管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。 ; NEMOS 管输出特性曲线;数学模型：; 饱和区;数学模型：;;　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损坏。; NEMOS 管转移特性曲线; 衬底效应; P 沟道 EMOS 管;耗尽型 MOS 场效应管; NDMOS 管伏安特性; MOSFET大信号电路模型;MOS小信号电路模型; MOS 管跨导; 计及衬底效应的电路模型（衬底与源极不相连）; MOS 管高频小信号电路模型; MOS 管非饱和区等??模型;四种 MOS 场效应管比较; 饱和区(放大区)外加电压极性及数学模型; 临界饱和工作条件; MOS 管截止模式判断方法;例 已知 ?nCOXW/(2l) = 0.25 mA/V2，VGS(th)= 2 V，求 ID 。; 小信号等效电路法;3.2　结型场效应管; N沟道 JFET 管外部工作条件; vGS 对沟道宽度的影响; vDS 很小时 → vGD ? vGS; 当 vDS 增加到使 vGD ? = VGS(off) 时 → A 点出现预夹断;　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压vGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 iD。; NJFET 输出特性; 饱和区(放大区); 截止区; JFET 转移特性曲线;　　JFET电路模型与MOS管相同，只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此跨导计算公式不同。; 各类 FET 管 vDS、vGS 极性比较 ; 场效应管与三极管性能比较 ; N沟道 EMOS 管 GD 相连 ? 构成有源电阻; N 沟道 DMOS 管 GS 相连?构成有源电阻; 有源电阻 ? 构成分压器; 场效应管偏置电路;(2)自偏置电路;(3)零偏置电路