第3章微电子IC制造工艺技巧.pptVIP

第3章 IC制造工艺 ;3.1 外延生长（Epitaxy）;1. 液态生长（LPE，Liquid Phase Epitaxy）; VPE是所有在气体环境下在晶体表面进行外延生长技术的总称。 在不同的VPE技术里，卤素（Halogen：氟、氯、溴、磺、砹有化学联系的五个非金属元素一族中的任何一个）传递生长法在制作各种材料的沉淀薄层中得到大量应用。 任何把至少一种外延层组成元素以卤化物形式在衬底表面发生卤素析出反应从而形成外延层的过程都可归入卤素传递法。它在半导体工业中有尤其重要的地位（卤化反应）。 用这种方法外延生长的基片，可制作出很多种器件，如GaAs、GaAsP、LED管、GaAs微波二极管、大部分的Si双极型管、LSI及一些MOS逻辑电路等。; Si基片的卤素生长可在一个反应器中实现，如SiCI4/H2系统。在水平的外延生长器中，Si基片放在石英管中的石墨板上，SiCI4、H2及气态杂质原子通过反应管。 在外延过程中，石墨被石英管周围的射频线圈加热到1500 ?2000?C，在高温作用下，发生SiCI4+H2?Si+4HCI?的反应，释放出的Si原子在基片表面形成单晶硅，典型的生长速度为0.5?1?m/min。 ;SiCl4+H2混合气电加热器为多晶硅项目专用电加热器，主要用于加热SiCl4 +H2 混合气。可用于多晶硅生产。产品特点：??? SiCl4+H2混合气电加热器性能稳定，安全可靠；能长期在700~900℃高温工况下长期稳定工作，使用寿命超过8000小时。该产品有效解决了多晶硅生产过程SiCl4循环利用的难题。;3. 金属有机物气相外延生长 （MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）; 分子束外延生长 （MBE，Molecular Epitaxy）;英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分;3.1 外延生长 3.2 掩膜版制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺;3.2 掩膜（Mask）的制版工艺 ;什么是掩膜？;整版及单片版掩膜;IC、Mask Wafer;整版和接触式曝光;2. 图案发生器方法PG（Pattern Generator）;利用这些数据控制下图所示的一套制版装置。;3. X射线制版;4. 电子束扫描法（E-Beam Scanning）;电子束光刻装置： LEICA EBPG5000+;电子束制版三部曲;电子束扫描法（续）; ;3.3 光刻（Lithography）原理与流程 ;3.3.1 光刻步骤;正性胶与负性胶光刻图形的形成;涂光刻胶的方法; 二、曝光：光源可以是可见光、紫外线、X射线和电子束。光量的大小和时间的长短取决于光刻胶的型号、厚度和成像深度。 三、显影：晶圆用真空吸盘吸牢，高速旋转。将显影液喷射到晶圆上，即可实现显影操作。显影后，用清洁液喷洗。 四、烘干：将显影液和清洁液全部蒸发掉。 ;3.3.2 曝光方式;曝光系统（下图）： 点光源产生的光经凹面镜反射得发散光束，再经透镜变成平行光束，经45°折射后投射到工作台上。 图 3.8;接触式曝光方式的图象偏差问题;掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素;接触式曝光方式的掩膜磨损问题;2．非接触式光刻;缩小投影曝光系统;缩小投影曝光系统的特点; 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK （工艺设计文件，Process Design Kits），挖掘工艺潜力。;图3.12; 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK （工艺设计文件，Process Design Kits），挖掘工艺潜力。;3.5 淀积与刻蚀（Etching） ;刻蚀的作用与被刻蚀的材料;湿法刻蚀;干法刻蚀 ——分为：等离子体刻蚀、反应离子刻蚀（RIE）等; 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK ???工艺设计文件，Process Design Kits），挖掘工艺潜力。;3.6 掺杂原理与工艺;1. 热扩散掺杂;;2. 离子注入法;离子注入机;离子注入机工作原理;注入法的优缺点;思考题