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第 2章 常用光辐射源 § 2.1光源选择的基本要求和光源分类 二.光源选择的基本要求 具体的光电检测系统,应按实际工作要求选择,主要考虑以 下几个方面: 1.对光源放光光谱特性的要求 1 要求的检测任务不同,要求的光谱范围也不同 例如:可见光,紫外光 材料探伤,生物医学等 ,红外光 大气的8-14微米窗口,污染气体检测等 2 光源和光探测器之间的光谱匹配 光谱匹配系数α A1/A2 2.对光源发光强度的要求 太小:微弱信号检测的困难 ; 太大:损坏器件,浪费能源,出现非线性问题. 3.对光源稳定性的要求 对于强度调制:稳定电源;采用参考光路技术; 2 对于干涉或脉冲计数: 要求较低; 3 对于光谱平移情况. 4.对光源的其它要求 大小,发光面积,空间分布等; 相干光和非相干光. § 2.2光源的基本特性参数 一、辐射效率和发光效率 辐射效率:给定波长范围内,某一光源发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比。 光电测量系统的光谱范围相同,则尽可能选择辐射效率较高的光源 发光效率:光源发射的光通量与产生这些光通量所需的电功率之比。 照明领域发光效率越高越好。 §2.3发光二极管 1.LED的发光原理 场致发光:固体在电场的作用下将电能直接转化为光能的发光现象。也称电致发光。 发光二极管:少数载流子在P-N结区的注入与复合而产生发光的一种半导体光源。也称作注入式场致发光光源 当加正向偏压事,PN结区势垒降低,从扩散区注入的大量载流子不断的复合发光,并主要发生在P区。 2.LED的特性参数 (1)量子效率 内量子效率: 外量子效率 Nr:产生的光子数,G:注入的电子空穴对 NT:器件射出的光子数 前者:发光复合在整个过程中的比例 后者:发光复合过程中发射光子的能力 (2)发光与电流关系 (3)光谱特性 (4)伏安特性 (5)响应时间 反应速度的重要参数,特别是在脉冲驱动或电流调制时更要注意。 响应时间:注入电流后LED启亮(上升)或熄灭(衰减)的时间。 上升时间(纳秒级,最慢的也就100纳秒)随着电流的增大近似成指数减少。 问题: 如何由响应时间估算最大调制频率 (6)驱动电路 3.LED应用 耗电小,寿命长,小型化的显示。 数字,文字,图像指示 1978年日本超薄电视机 、照明、光源等方面的应用。 关注技术: LED照明技术. OLED技术: 有机发光二极管技术. § 2.4半导体激光器(Laser Diode) 1.LD的发光原理 (1)辐射类型 要产生激光,必须使总发射大于总吸收。故产生激光的必要条件之一:受激辐射主导地位。 (2)粒子数反转 受激辐射占主导,外部必须给工作物质提供能量。利用泵浦源能量将工作物质中的粒子从低能态跃迁到高能态,使高能态粒子数 低能态粒子数,构成粒子数反转。 获得激光输出的3个必要条件为: (1)必须将处于低能态的电子激发或泵浦到较高的能态上去,为此需要泵浦源; (2)要有大量的粒子数反转,使受激辐射足以克服损耗; (3)有一个谐振腔为出射光子提供正反馈及高的增益,用以维持受激辐射的持续振荡。 2.LD类型 气体LD 固体LD 染料LD 半导体LD 3.Laser特性 单色性 方向性 相干性 * 一. 光源的分类 光源:一切能产生光辐射的辐射源,都称为光 源光源分类:按照发光机理,自然光源和人工光源. 自然光源:太阳,月亮,恒星,天空(星光→微光夜视技术;星的亮暗可用地面接收的照度来表示,零等星→一等星→二等星不断变暗,零等照度2.65×10-6LX,星等间隔每差五等,照度差100倍,相邻星等之比为2.512倍。 场致发光:固体在电场作用下将电能转换为光能的发光现象; 有三种形态:粉末,薄膜和结型,对应材料为Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体. 发光二极管原理结构 注入发光的能带结构 Q:为什么LED大部分都是半球形?(P26) 随着结温的上升,峰值波长向长波段漂移 LED工作条件:正向偏置电压提供驱动电流。 调节左图中,基极偏置电压(Rb2),可获得需求的辐射光功率。 通信中以LED为光源的场合,需要对LED调制,调制信号通过电容耦合到基极,输出光功率则被电信号调制。 (a)原子从高能级E2跌落到低能级E1时自发发出hv=E2-E1的辐射光子。特点:独立自发,杂乱无章 (b)能量为hv的辐射作用在处于受激能级E2的原子上,不稳定从E2跃迁E1基态。发射出频率、相位、方向都与入射辐射光子相同能量hv的光子 (c)原子接受hv能量从基态跃入受激能级而受激吸收过程。不稳定,会自发返回基态,放出hv的能量。 谐振腔: n:介质折射率 m:整数 F-P腔最常用的可以做光学滤波用 *
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