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《模拟电子技术基础》复习提纲 常用半导体器件 重点：二极管和三极管的特性及主要参数 内容与要求： 半导体基础知识 要求掌握（1）PN结的形成原理；（2）PN结的特性——单向导电性和反向击穿特性。 半导体二极管 要求掌握（1）二极管的特性——正向：电压大于Uon（硅0.7V、锗0.2V）时，电流呈指数规律上升；反向：电压小于击穿电压时，电流近似为0，电压大于等于击穿电压时，电流快速上升。（2）二极管的主要参数。（3）稳压管的特性——工作于反向击穿状态。 双极型晶体管 要求掌握（1）晶体管的电流放大原理——Ic=βIb。（2）晶体管的输入、输出特性——输入特性：与二极管的正向特性相似；输出特性：分放大、饱和、截止三个工作区。晶体管工作于放大区时，相当一个电流控制的电流源（CCCS）：Ic=βIb；晶体管工作于饱和区时，管子的C~E端近似短路（Uce≈0.3V）；晶体管工作于截止区时，管子的C~E端近似开路、C~E间电流近似为0。（3）晶体管的主要参数——β、ICEO、fT、PCM、ICM、U（BR）CEO。 场效应管 要求了解：N沟道结型场效应管和N沟道增强型MOS管的基本工作原理与特性——栅源间电压UGS控制漏源间电流IDS，相当于电压控制的电流源（VCCS）。 重点练习： 自测题；作业题及课上例题。 第二章 基本放大电路 重点：基本放大电路的工作原理和分析方法 内容与要求： 放大的概念和放大电路的主要性能指标 要求掌握（1）放大的概念——放大是针对“变化量”而言的，实质是能量的转化与控制。（2）放大电路的性能指标——放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带、最大输出功率等。具体内容见书P71—P76：“2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标”。 基本共射放大电路的工作原理 要求掌握：（1）放大电路的组成原则——直流电源使晶体管的发射结正偏、集电结反偏；交流信号输得进、取得出；电路有合适的静态工作点。（2）基本共射放大电路的工作原理——电路中各点的电压波形。 放大电路的分析方法 要求掌握：（1）图解法——图解法的原则和方法，用图解法确定电路的静态工作点、各点波形和非线性失真。（2）等效电路法——在直流通路中，计算静态工作点；在交流通路中，用晶体管的交流小信号模型（晶体管共射h参数等效模型）取代晶体管，画出放大电路的交流等效电路，计算性能指标：放大量、输入和输出电阻等。 放大电路静态工作点的稳定 要求掌握：（1）静态工作点稳定的必要性。（2）典型的静态工作点稳定电路。2.4放大电路静态工作点的稳定”。 晶体管单管放大电路的三种基本接法: 了解 晶体管基本放大电路的派生电路:了解 场效应管放大电路 要求掌握：（1）场效应管的等效模型——电压控制的电流源（VCCS）：IdS=gmUgS；自测题；作业题及课上例题。 第三章 多级放大电路 重点：多级放大电路的耦合方式、多级放大电路的动态分析、差动放大电路、互补射极输出电路。 内容与要求： 3.1 多级放大电路的耦合方式 要求掌握：直接耦合与阻容（RC）耦合的特点——直接耦合：低频特性好、易集成、前后级静态工作点相互影响、温度漂移大；阻容耦合：各级静态工作点互不影响、温度漂移小、低频特性差、不易集成。 3.2 多级放大电路的动态分析 要求掌握：多级放大电路的分析——放大倍数为各级放大倍数之乘积，注意考虑后级输入电阻对前级放大倍数的影响。具体内容见书P142—P144：“3.2 多级放大电路的动态分析”。 3.2 直接耦合放大电路 要求掌握：（1）直接耦合放大电路中零点漂移的现象及其产生的原因；（2）差动放大电路——差动电路结构上的特点和抑制共模干扰信号的原理，差动放大电路的分析：计算静态工作点、画差模等效电路、计算差模放大倍数和输入输出电阻、画共模等效电路、计算共模放大倍数和共模抑制比。（3）直接耦合互补输出级——互补射极跟随电路的工作原理和特点、克服交越失真的方法。 重点练习： 自测题；作业题及课上例题。 第四章 集成运算放大电路 重点：集成运放的基本组成和特点、集成运放的电压传输特性、理想运放模型。 内容与要求： 4.1 集成运算放大电路概述 要求掌握：（1）集成电路中元器件的特点；（2）集成运放电路结构的特点；（3）集成运放电路的组成及其各部分的作用；（4）集成运放电路的电压传输特性 4.2 集成运放中的电流源电路 要求掌握：（1）基本电流源电路——镜象电流源电路的基本工作原理； 4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 要求掌握：（1）集成运放的性能指标——开环差模电压放大倍数、共模抑制比、差模输入电阻、差模输出电阻等。（2）低频等效电路——简化的等效电路和理想运放模型。 4.5 集成运放的种类及选择 要求了解：