半导体三极管及其放大电路基础概述.pptVIP

;3.1 半导体三极管 3.2 基本共射极放大电路 3.3 放大电路的静态分析 3.4 放大电路的动态分析 3.5 静态工作点的稳定 3.6 共集与共基极放大电路;3.1 半导体三极管 ;3.1 半导体三极管 ;3.1 半导体三极管 ;B;图 3 – 2 三极管的结构示意图和符号 ; 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们的核心部分是两个PN结，分别称为发射结BE和集电结BC。 三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出 三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种系列三极管类型。它们对应的型号分别为： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN) 。 ;二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 1.三极管放大的两个条件： 1）内部条件：三个区（发射区、基区和集电区）的掺杂浓度与厚薄均不一样。两个PN结的结面积不同。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;;二、三极管中的电流分配（内部载流子的传输过程）* 2）外部条件：为使三极管具有电流放大作用，所加的外部电源必须