半导体基础和二极管概述.pptVIP

模拟电子技术基础; ;;;; ; ; ; ; ; ;; ; ;; ; ; ;1.1 半导体的基础知识 ;;;;;四、本征浓度;;;;;一、PN 结的形成; 由于载流子的浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。这种由于浓度差引起的运动称为 扩散运动。; 由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区的内建电场阻碍了扩散运动，同时使少子产生漂移运动，即N区的空穴向P区漂移， P区的电子向N区漂移。;在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来。 ;;内电场方向;;PN结的单向导电性;2、PN结的伏安特性及其表达式;3、PN结的击穿特性;雪崩击穿：掺杂浓度低，当反向电压比较大时，耗尽层中的少子加快漂移速度，撞击共价键，形成电子-空穴对，新的电子和空穴在电场的作用下加速运动，撞出新的价电子。载流子雪崩式倍增，导致电流急剧增加。一般在7V以上。; （1） 势垒电容CB ;非平衡少子在扩散过程中存在浓度差，扩散区内积累的电荷量随外加电压变化而变化，所形成的电容称为扩散电容 。;;U / V;U / V;材料;1.2.3 二极管的主要参数;3、反向电流IR;1.2.4 半导体二极管的型号及选择;二、选用二极管的一般原