压阻式传感器(新版)概述.ppt

第13章 压阻式传感器 1）压阻式传感器的工作原理— 半导体压阻效应 2）压阻系数、阻值变化的计算 a、压阻系数与任意方向阻值变化的计算 b、晶向与密勒指数 3）典型压阻式传感器原理分析 4）温度漂移及其补偿 §13.1 概述 1）压阻效应：当固体材料在某一方向承受应力时，其电阻率（或电阻值）发生变化的现象。 2）半导体压阻效应：半导体（单晶硅）晶片受到外力作用，产生肉眼无法察觉的极微小应变，其原子结构内部的电子能级状态发生变化，从而导致其电阻率产生剧烈的变化，表现在由其材料制成的电阻器阻值发生极大变化。 3）固态压阻传感器：利用压阻效应原理，采用集成电路制作等一些特殊工艺，在单晶硅片上沿特定晶向生成电阻，组成电桥，并利用硅的力学特性，在同一硅片上进行特殊的机械加工，制成集应力敏感与力电转换于一体的力学量传感器。 压阻式传感器分类 粘贴型压阻传感器：半导体应变片 应用情况 1）开始研制于1960s。以气、液压力为检测对象，与膜盒式、电感式、电容式、金属应变片式及半导体应变片式传感器比较，技术上有明显优势，目前仍是压力测量领域主要产品。 2）由于各自的特点及局限性，它虽然不能全面取代上述各种力学量传感器，但是，从八十年代中期以后，在传感器市场上占有很大比例，并与压电式几乎平分了加速度传感器的国际市场。 3）目前，在以大规模集成电路技术和计算机软件技术介入为特色的智能传感器技术中