1-2三极管概述.pptVIP

1.4 半导体三极管;1.4.1 三极管的结构;发射极E、基极B和集电极C：两块N型半导体中间夹一块P型半导体,三块半导体的电极引线。发射区、基区和集电区：这三块半导体。 相应半导体交界处形成了两个PN结： 发射结：发射区和基区交界处的PN结。 集电结：集电区和基区交界处的PN结。 PNP三极管与NPN三极管不同在于结构上中间是N型半导体，两边是P型半导体。 ; NPN三极管 PNP三极管;1.4.2 三极管的工作原理; NPN管共基接法 电子发射示意图;(1) 发射区向基区注入电子 发射结在正向偏置时，发射区中的多子(自由电子)通过发射结注入到基区，形成电子电流 ； 基区中的多子(空穴)通过发射结注入到发射区，形成空穴电流 。 因发射结为不对称结，发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，所以 远远大于 。 ;(2)电子在基区中扩散与复合 发射区中的电子(多子)注入到基区后，便从发射结一侧向集电结方向扩散。 在扩散过程中又可能与基区中空穴复合，不过由于基区做得很薄，且掺杂浓度低，所以从发射区注入到基区的电子少部分与空穴复合掉，绝大部分到达集电结。;(3) 集电区收集电子 集电结上加的是反向偏置，在反向电压作用下，在基区中扩散到集电结边缘的电子顺利地漂移通过集电结，形成电流 。 同时，由于集电结是反向偏置，基区中少数载流子电子和集电区中少数载流子空穴在结电场作用下形成反向饱和电流，用 表示。 的大小取决于少数载流子的浓度，受温度影响很大。 ;(4) 电流分配关系 共基电流传输系数： 　　α的大小一般为0.99～0.995。 　　发射极电流为： 　　 　　集电极电流为： α近似为常数，　与　成正比。　的改变控制了　 的变化，所以三极管是一种电流控制器件。 而基极电流　与　 的关系为： ; 2.共射接法时三极管的电流控制关系 　　三极管上所加电压　　　　　　　　，从而保证三极管发射结正偏，集电结反偏。 ;令： 式中β称为共发射极电流放大系数，其值一般为几十～几百。 得到： 令： 　　　　　称为集电极—发射极间的反向饱和电流或称为穿透电流。 可得： 当 　　较小可忽略时： 　　的改变控制了　　的变化，也体现了三极管的电流控制功能。 ;1.4.3　三极管的特性曲线;1.输入特性曲线 ;（1） 时，加上正向电压， 和 的关系与二极管相似，呈指数关系。 （2） 增大，输入特性曲线向右移动。 （3） 时，集电结所加的反向电压已经能把这些电子中的绝大部分拉到集电极，所以 再增加， 不再明显减小。;2.输出特性曲线 ; 输出特性曲线可分为四个区域：饱和区、放大区、截止区和击穿区。 (1) 饱和区 饱和区：三极管发射结正偏，集电结也正偏的工作状态。 在 较小时(约0.3V以下)，集电结正偏。随 增加，集电结正向电压减小，集电区电子注入基区而形成的集电极电流减小，结果是 上升。显然，在这个区域内， 已不再与 成比例关系，且 。 饱和压降:三极管自饱和区进入放大区时的电压 ，用 表示，工程上，其值常取0.3V。 ;(2) 放大区 所谓放大区，是指三极管发射结正偏，集电结反偏的工作状态。 当 且进一步增大时，集电结上反向电压 增大，导致集电结阻挡层宽度增大，结果是基区的实际宽度减小。由发射区注入基区的非平衡少子在向集电结扩散过程中与基区中多子复合的机会减少， 增加。 基区宽度调制效应:由 变化引起基区实际宽度变化而导致电流变化的现象。表现在输出特性上，在放大区 随 增大稍有上翘。;(3) 截止区 截止区:发射极电流 以下的区域。 　　当 　　　 时， ， 。 　　在截止区，三极管发射结反偏，集电结也反偏。 (4) 击穿区 当 足够大时，三极管发生反向击穿， 迅速增大。 ; 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。;