射频电路与天线11基本元件20101021概述.pptVIP

射频电路与天线（一）RF Circuits and Antennas第11讲 基本元件;第11讲内容;在射频电路中，除了传输线以外，根据电路的设计或实际电路实现的需要，总是要引入各种不连续性。 有些不连续性是我们所不需要的，例如传输线的弯曲、不同传输线的连接等。 有些不连续性是作为实现某种功能的电路元件，人为引入的，是电路设计所必须的，例如电抗元件等。 无论怎样，为了精确设计电路，必须给出这些不连续性的分析模型—等效电路。 ;;平板电容是最常用的电容，对于面积为A，间距为d，填充介电常数为?的电介质的平板电容在低频时为 高频时，除了引线电感和引线电容外，电介质变得有耗，产生高频介质电导率，损耗电导为;高频电感;低频电路基本元件：电感，电容，电阻以及理想变压器。 低频元件都是集总元件，元件参数与频率几乎无关。但在射频电路中，??件成为分布参数元件，参数是频率的函数。 射频元件的基本结构一般都是利用传输线中的不连续性实现的。 按传输线结构划分，基本元件通常分为波导元件、同轴元件、带状线元件、微带元件、共面波导元件和集总元件等 。 ;11.2 波导元件 ;力线分析 当矩形波导中传输的主模TE10 模遇到电容膜片时，由于它的场分量不满足膜片的边界条件，所以必然产生出新的场分量，或者说感应出新的场分布。 电容膜片只在y方向引入不连续性，而x方向是连续的。而TE10模只有Ey、Hx 和Hz分量，所以在电容膜片处只有电力线发生弯曲、压缩，而磁力线形状不变。 于是，在电容膜片处，电场能量相对集中，可以等效为一个并联电容。;模式展开理论告诉我们，膜片处的场可以展开为矩形波导所有TE和TM模的组合。 当入射波TE10模遇到膜片后，一部分入射波被反射，另一部分穿透膜片进入另一段波导，同时在膜片上产生了许多高次模。 这些高次模的场同TE10模的场叠加满足膜片的边界条件。 高次模在满足单模传输条件的矩形波导中是截止的，所以，离开膜片不远就会很快衰减掉，于是在膜片附近形成了一个电磁储能区。;由于电容膜片的不连续性只在y方向，而TE10模在y方向只有电场分量，所以产生的高次模只有TM模，而没有TE模。 截止的TM模中，电场能量占优势。 因此，如果电容膜片极薄且无损耗的话，就可以等效为一个并联电容。 电容膜片的口径附近电场比较集中，容易发生击穿，所以功率容量低。而且电容膜片不易得到较大的等效电纳，所以在实际应用中很少采用。 ;电感膜片 ;分析方法与对电容膜片的分析方法相同。只是电感膜片只在x方向上不连续，在y方向上是连续的。 当传输TE10模时，电感膜片处只有磁力线变形、压缩，因此，磁场能量相对集中。 或者说，在膜片上产生的高次模只有TE模且沿y方向不变化，因而，高次模为TEm0模，而TEm0模中磁场储能大于电场储能。 因此，电感膜片处，磁场能量占优势，故等效为并联电感。;谐振窗;谐振窗可以理解为电感膜片和电容膜片的组合，因此，可以等效为一并联谐振回路。 显然，当它的电场储能和磁场储能相等时发生谐振，并联导纳为零，这时反射最小。 根据波导理论，可以把谐振窗看成在主波导中级联一小段横截面为 的缩小尺寸波导，只要它们相匹配，就不会有反射。 ;对于空气填充的矩形波导，设波导中只传输TE10模。主波导的特性阻抗和谐振窗波导的特性阻抗分别为 匹配条件 于是 在固定波长的情况下，满足这个关系式的谐振窗尺寸有很多组值 。;应当注意，上述分析是近似的，忽略了谐振窗的边缘效应以及膜片非常薄的影响，因此，只能用于谐振窗的初步设计。 在微波系统中，为了使某些电真空器件与波导相耦合，或者将波导充气或密封，并保证不影响微波功率的传输，广泛采用谐振窗。谐振窗也常用作波导滤波器的谐振元件。 ;调节螺钉 ;在矩形波导中央插入螺钉时，该处场受扰动和发生变化。当插入深度小于?/4时，一方面增强电场，另一方面，宽面纵电流流入螺钉产生磁场，但前者占优势，所以并联电纳呈容性 随着螺钉旋入深度的增加，电感量和电容量都增加，约?/4 时，容抗和感抗相等，形成串联谐振， 当深度进一步增加，感抗大于容抗，形成电感。;波导阶梯 波导阶梯是两种不同截面尺寸的波导相连接时所形成的不连续性。对于矩形波导最常见的阶梯是E面阶梯和H面阶梯。 E面阶梯沿电场方向（y方向）构成阶梯，类似于电容膜片，沿纵向可以近似看作电容膜片的一半，故在连接处可以等效为一个并联电容。 H面阶梯沿磁场方向（x方向）构成阶梯，类似于电感膜片，沿纵向可以近似看作电感膜片的一半，故在连接处可以等效为一个并联电感。;E面阶梯 ;短路负载;短路活