5新型传感器第05章概论.pptVIP

第五章 集成传感器;第五章 集成传感器;第五章 集成传感器;第一节 集成压敏传感器;2、硅敏感电容器原理;圆形膜：;式中：g1=b1/a； g2=b2/a；g3=b3/a；; ;2、测量电路;4、CP8型集成压敏传感器;对转换电路的基本要求;工作原理分析：;二、扩散硅压敏传感器; 可见，通过适当选取R5、R6的比值,可以使输出电压的温度系数为零，也就是说通过电路参数的设定可以补偿电路的温度误差。;第二节 集成温敏传感器;;2、温度测量电路;电压输出型温度传感器中，BG5的发射结电压与BG3、BG4相同，又具有相同的发射极面积。于是流过BG5和R2支路的电流与另两支路电流相等，所以输出电压为：;二、电流输出型集成温敏传感器;BG1、BG2为温敏晶体管，两者的发射结面积比为8:1。 (BG3-BG4)、(BG5-BG6)构成恒流源，为温敏晶体管提供恒定的集电极电流，Ic1 = Ic2。 差分对管BG9、BG10作为(BG3-BG4)、(BG5-BG6)的负反馈器件，起到进一步消除由于制造工艺的不足造成BG1、BG2不对称而对?Vbe的影响。;为了提高测温准确度，需要进行校正。;“一点校正法”：仅对某一温度点（0℃或25℃）进行校正。如果AD590在校正点（如25℃）时输出电流并非298.2?A，那么，调节Rw使电路输出电压值VT为298.2mV即可。;集成温度传感器还有一种电压输出型器件，其基本电路与电流型无多大区别，只是将温敏差分对管的两个Vbe之差?Vbe引出。电路由温敏晶体管、稳压电路和运算放大电路三部分构成。例如?PC616，器件的温度系数为10mV/K，四端T0-5封装。;三、集成温控开关;电路内置一个施密特触发器，使温度控制有大约4℃的迟滞。;第三节 集成磁敏传感器;初始状态下施密特触发器BG3和BG4的发射极电位Ve3决定于BG3的饱和电流Ices3和BG3、BG4管共用射极电阻Re，即Ve3 = Ices3Re。 ;结果，电路输出状态由高电平VOH翻转为低电平：Vc7=Vc8+VOL? 0.4V。;导通磁感应强度和截止磁感应强度之间也存在滞后效应，其滞环宽度?B为：?B = B(H?L) - B(L?H) ;二、开关型集成磁敏传感器特性;在满足输出低电平VOL＜0.4V的条件下，输出管的集电极电流，其规范值为 IOL=12mA。 CS型开关型集成磁敏传感器的最大负载电流为20mA。; 导通磁感应强度 B(H?L)、截止磁感应强度 B(L?H)和滞环宽度?B随温度而变化的特性。;第四节 集成传感器应用实例;2、背光照明;二、背光模块的温度控制;2、测控电路;3、风扇工作状态监控电路;霍尔元件;造成不等位电势的原因主要有：元件两侧焊接的电极不对称、元件厚度不均匀、材料的电阻率不均匀等。;1。你所学的集成压敏传感器有哪些？ 说出它们的名称、各自的敏感元件。