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 试画出出下列电路的交流小信号模型图、大信号分析图，并算出小信号增益、输出电阻、输入电阻;第三章单级放大器;一基本概念模拟电路设计的八边形法则;4; 放大器是集成电路的最基本单元电路之一； 用于提高模拟电路的驱动能力，也可以应用于反馈系统； 基本CMOS模拟放大器，包括共源、共栅、共漏及Cascade放大器； 掌握CMOS基本模拟放大器的电路结构、小信号模型、增益及输出电阻简化公式;例：画出Vout随Vin从0变化到VDD的曲线草图。标出图中重要转折点。;二共源极1采用电阻负载的共源级(common source CS);电阻负载共源级的小信号等效电路;采用电阻负载的共源级(CS);简单CS放大器的设计参数;电阻负载共源级的ID(Vin)、gm（Vin）;电阻负载CS放大器设计参数的制约关系;2二极管连结MOS管的工作状态;二极管连接的MOS管的小信号等效电阻;二极管连接的MOS管的小信号等效电阻;增益 NMOS二极管连接做负载 ; PMOS二极管连接做负载;MOS二极管连接负载的共源极（ λ＝0 ）;MOS二极管连接负载的共源极;MOS二极管连接负载的共源极(例1);MOS二极管连接负载的共源极;设电源电压 VDD=3V, |VTN|= |VTP| =0.7V 假定 Von1 = VGS1-VTH1= Vin-VTH1 ≥ 0.2V 若AV=-10, 则 |VGS2| ≥ | AV | ?Von1+| VTH2 | = 2.7V ∵ |VDS2 | = | VGS2 | ≥ 2.7V 故 Vo=VDD- | VDS2 | ≤ 3-2.7=0.3V, 联系到M1饱和要求: Vo= VDS1≥VGS1-VTH1 = Von1 =0.2V. 故Vo的变化范围仅有0.2V～0.3V，输出电压摆幅非常小。;求上例中Vinmax=? (例3);MOS二极管连接负载的共源极(例4);MOS二极管连接负载共源极的小结;3采用电流源负载的共源级;电流源负载的共源级放大器 讨论 获得更大的增益 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 长沟器件可以产生高的电压增益。 同时增加W、L将引入更大的节点电容。 ↑ID→ AV ↓ ;采用电流源负载共源级的AV;电流源负载共源级的输出电压摆幅问题;若W、ID不变, L↑(r02 ↑), AV↑，但过驱动电压Von↑，输出电压摆幅↓，若同时保持Von不变(即摆幅不变) ，则需W ↑，这会导致寄生电容↑, 放大器带宽↓。这充分体现了模拟设计中的增益、摆幅、带宽之间的折衷关系。(电阻负载CS中 ID不变, RD↑, AV↑, 摆幅一定↓);4工作在线性区的MOS负载的共源级;工作在线性区的MOS负载的共源级;5带源极负反馈的共源级(λ=0，γ=0);等效跨导;带源极负反馈的共源级(λ=0，γ=0);带源极负反馈的共源级(λ=0，γ=0);在讲解考虑沟道调制效应和衬偏效应(λ≠0，γ≠0)，的带源极负反馈的共源级之前我们先来看一个辅助定理！;辅助定理;共源极的输出电阻Rout;带负反馈的共源级的等效跨导Gm;带负反馈的共源级(λ≠0，γ≠0);恒流源负载、带源极负反馈的增益;三、共漏级放大器（源跟随器）;小信号分析 ;采用电流源的源跟随器 ;考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载，;例 源极跟随器的应用（P62);四、共栅级放大器;由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时 ;小信号分析 （考虑晶体管的输出电阻及信号的阻抗） 增益 ;共栅放大器的输入电阻;共栅放大器阻抗变换特性的应用;共栅放大器的输出电阻;五、共源共栅级放大器;小信号分析 增益 ;共源共栅放大器的输出电阻;恒流源负载的共源共栅放大器;共源共栅（ Cascade ）放大器;共源共栅结构的屏蔽特性(1);共源共栅结构的屏蔽特性(2);小结;Find the small-signal Rin, Rout and vout/vin of the common gate amplifier including rds. Assume that KN’=0.11mA/V^2, Vt =0.7V, ID = 0.2mA and RD=20k.;Solution:;M1饱和要求:;