VLSI-04第八章 光刻(上).ppt

集成电路工艺原理;大纲 ;光刻的作用和目的 图形的产生和布局;35％的成本来自于光刻工艺;空间图像;掩膜版制作;;掩模版制作过程;掩膜版的成品率Y:;三种硅片曝光模式及系统;扫描投影式光刻机原理图;步进投影式光刻机原理图;DSW－direct step on wafer;接触式和接近式——近场衍射（Fresnel） 像平面靠近孔径，二者之间无镜头系统;接触和接近式;投影式——远场衍射（Fraunhofer） 像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头;瑞利给出恰可分辨两个物点的判据：;两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据):;?为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：;;光刻胶;汞灯436nm (g线)和365nm (i线),光刻胶的组成 （正胶－positive photoresist, DNQ）;负胶 (Negative Optical Photoresist) ;负胶的组成部分： a) 基底：合成环化橡胶树脂 (cyclized synthetic rubber risin) 对光照不敏感，但在有机溶剂如甲???和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 双芳化基 (bis-arylazide) 当光照后，产生交联的三维分子网络，使光刻胶在显影液中具有不溶性。 c)溶剂：芳香族化合物 (aromatic) ;DUV深紫外光刻胶;DUV胶化学增强的基本原理;光刻胶的表征参数： 1、对比度：胶区分亮区和暗区的能力;对比度;光刻胶的一些问题;2、下层反射造成驻波，下层散射降低图像分辨率。;驻波对于光刻图形的影响;本节课主要内容