集成电路工程基础概论.pptVIP

;第二章 集成电路工艺基础(续);2.3 集成电路中的元件;;;2.集成NPN晶体管的有源寄生效应;VBC0(VBE0),VSC0 (VBC0) 寄生PNP晶体管正向有源导通。有电流流向衬底，影响NPN晶体管的正常工作。;（3）减小有源寄生效应的措施;3.集成NPN晶体管的无源寄生效应;(1)集成NPN晶体管中的寄生电阻;减小集电极串联电阻措施: n+埋层电阻较小，旁路外延层电阻 穿透磷扩散，形成欧姆接触 薄外延 图形结构和尺寸：加宽集电极引线孔的宽度; ③基区电阻rB 集成晶体管和分立晶体管一样，从基极接触孔到有效基区之间存在相当大的串联电阻，由于集成晶体管的各电极都由表面引出，所以其基极电流平行于发射结和集电结之间，是横向流动的。 rB=rB1+ rB2=R3+R2+R1 基极串联电阻引起 发射极电流集边效应， 还影响高频增益和 噪声性能。;(2)集成NPN晶体管中的寄生电容;4.图形尺寸与晶体管特性参数的关系;图形尺寸与晶体管特性参数的关系（续）;5.减小无源寄生效应的措施;6 .集成NPN晶体管常用图形及特点;（2）双基极条形 与单基极条形相比： 基极串联电阻小 电流容量大 面积大 寄生电容大 ;（3）双基极双集电极形 与双基极条形相比： 集电极串联电阻小 面积大 寄生电容大;（4）双射极双集电极形 与双基极双集电极形相比： 集电极串联电阻小 面积大 寄生电容大;（5）马蹄形（U型） 电流容量大 集电极串联电阻小 基极串联电阻小 面积大 寄生电容大;（6）梳状 具有大的电流容量;(1)提高NPN管β值的途径 ①提高发射区浓度（重掺杂理论） ②降低基区浓度（同时采用高阻外延） ③减薄基区宽度 （加深发射结深度或 减小集电结的深度） ;(2)扩散穿通型超增益管 采用后两种途径，形成两种结构 双磷扩散结构：增加一次N+发射区扩散 发射区结深更深，基区宽度变小，内基区杂质浓度变低，增益大大提高 双硼扩散结构：增加一次P+基区扩散 比普通管基区扩散的结深浅，浓度低，增益大大提高 基区接触孔处及外基区周围与普通管基区同时进行扩散，，以减小基极串联电阻;(3)扩散穿通型超增益管的特点 ①采用圆形发射区，以获得最小周长 ②应用时BC结偏置限制在0V左右，以减小基区宽度调制的影响 ;作业;1. 集成NPN管与分立NPN管有什么不同？ 2. 有源寄生效应有何影响？如何减小或消除？ 3. 无源寄生有何影响？ 4. NPN管图形尺寸与其主要参数之间有什么关系？ 5.超增益管BC结的偏压为什么要限制在0伏左右？;二） 集成电路中的PNP晶体管;1. 横向PNP管的结构和有源寄生效应;(1) 横向PNP管工作在正向工作区;(2) 横向PNP管工作在反向工作区;(3) 横向PNP管工作在饱和区;电流增益β低，一般NPN管的β=100—500，而横向PNP的β =10—50。 特征频率fT低，受WbL和寄生PNP影响。 减小寄生效应的措施： 采用N+埋层：使纵向寄生PNP管的基区宽度增大；减小了寄生PNP管的基区电阻，使其注入效率降低。 寄生PNP的影响，只有从发射区侧面注入的空穴才对横向PNP管的电流增益有贡献。减小发射区面积与周长之比，将发射区设计为正方形。;(5)横向PNP管常用图形;横向PNP管常用图形（续）; 纵向结构，故又称为纵向PNP晶体管； 各结面较平坦，发射 区面积可以做得很大，因此，可以在较大电流下工作； 衬底(集电极)电位固定(最低电位)，因此，只能用作集电极接最低电位的射极跟随器； 因为衬底作为集电区，所以不存在有源寄生，不用加N+ 埋层； 因为基区是外延层，而外延层电阻率一般较大，因此，基区电阻较大。基区(外延层)上最好覆盖N+扩散层。;CMOS工艺中的衬底PNP管;作业;思考题;三）集成电路中的MOS晶体管;2.MOS晶体管常用图形;完整的MOS管图形;体效应;;消除场区寄生MOS管效应的措施;;消除寄生双极晶体管影响的措施;;必要条件： 1.两个发射结均正偏 2.βnpn*βpnp 1 3.IPowerIH;版图设计上消除闩锁效应措施： 1.加大MOS管源漏区距阱边界的距离，减小寄生管的β值，使βnpn*βpnp 1。 2.充分保证P衬底接最低电位，N阱接最高电位，减小RS和RW ，使发射结不正偏导通;6.小尺寸MOS器件存在的问题（二阶效应）;多晶硅腐蚀误差及源漏区注入的侧向扩散使沟道长度L减小;小尺寸MOS器件存在的问题（续）;;小尺寸MOS器件存在的问题（续）;7.按比例缩小理论;采用恒电场CE缩减方案, 缩减因子为α时, 各电路指标变化。;恒电场CE缩减方案;作业;四）集成电路中的二极管;1.一般集成二极管;2.