2半导体中载流子的统计分布.ppt

本章内容提要;热激发（本征）;半导体的导电性;费米和玻耳兹曼分布f(E);3.1 状态密度;1.k空间中量子态的分布;2.状态密度;(2)价带顶附近;3.2 费米能级和载流子的统计分布;EF：费米能级或费米能量，与温度、半导体材料的导电 类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。;将半导体中大量电子的集体看成一个热力系统，由统计理论证明，费米能级EF是系统的化学势： ;(2)费米分布函数 f(E)的特性;一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态 基本上没有被电子占据，而能量小于费米能级的量子态基本上 为电子所占据，而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是 1/2。（E－EF5k0T, f(E)0.007; E－EF-5k0T, f(E)0.993 ） 费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况, （通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平）。EF高，则说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 T升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子态的概率增大。 ;;能量为E的量子态不被电子占据的概率 也就是量子态被空穴占据的概率;非简并性系统：服从玻耳兹曼统计律的电子系统 简并性系统：服从费米统计律的电子系统;费米和玻耳兹曼分布f(E);对导带而言：;简单能带;(1)非简并情况下，导带中电子浓度;令;x’取值：导带宽度典型值为1~2eV，目前对一般半导体器件 有兴趣的最高温度为500K;导带中电子浓度为： ;(2)非简并情况下，价带中空穴浓度;小结 :;4.载流子浓度乘积n0p0;讨论： 电子和空穴浓度乘积和费米能级无关 。 一定的半导体材料（ Eg确定），n0p0是决定于温度T，与所含杂质无关。 T一定时， n0p0与Eg有关。 这个关系式适用于热平衡状态下的非简并半导体 （本征、 杂质半导体）。 T、半导体材料（Eg）确定后，n0p0一定， n0↑，p0↓ ;3.3 本征半导体的载流子浓度;n0=p0;讨论:;本征载流子浓度 ：;将Nc，Nv表达式代入 ;;3.4 杂质半导体的载流子浓度;能带中的能级可以容纳自旋方向相反的两个电子。 ;施主浓度ND和受主浓度NA就是杂质的量子态密度 电子和空穴占据杂质能级的概率分别是;● EF－EA＞＞kT;讨论： 杂质能级与费米能级的相对位置明显反映了电子和空穴占据杂质能级的情况。 当 说明了什么？ 当 重合时， ，即施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。 同理，当EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离；当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离；当EF等于EA时，受主杂质有1/5电离，4/5没有电离。;3.4.2.n型半导体的载流子浓度 （只含一种施主杂质的n型半导体）;区别何在?;(1)低温弱电离区;讨论 ;; T↑，Nc↑， , dEF/dT0，EF开始下降 ND=2NC后，T↑， Nc↑, ND2NC, T↑,使EF=ED，;当温度升高至大部分杂质都电离时称为强电离。 ;因强电离区有n0=ND，故此时载流子浓度与T无关 饱和区：载流子浓度n0保持等于杂质浓度的这一温度范围称为饱和区;施主杂质达到全部电离时的杂质浓度上限; 对于某种杂质来说，全部电离的施主杂质浓度与温度有关;例题：估算一下室温时硅中施主杂质达到全部电离时 (90％)的杂质浓度上限及杂质基本上全部电离 ( 90％)所需的温度？;处于饱和区和完全本征激发之间的区域称为过渡区 电子：一部分来源于全部电离的杂质 另一部分来源于本征激发;T↑，n0ND，p0ND 电中性条件：n0=p0 杂质浓度越高，达到本征激发起主要作用的温度也越高。 ;（1）n ~T;（2）EF ~T;3.p型半导体的载流子浓度（作业）;硅的费米能级与温度及杂质浓度的关系;讨论： 杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。 ( 与本征区别) 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，EF从杂质能级附近→禁带中线处。 温度一定时，费米能