3 第三章 光电子材料基础.ppt

3 第三章 光电子材料基础

*;*;*;*;*;*;半导体的复合 被激发到较高能级的半导体材料,释放能量回到低能级状态的过程 直接复合与间接复合 体内复合与表面复合;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;激光的功率密度大是通过光能在空间的高度集中实现的。如果将激光发射的时间尽量缩短可以获得更高的峰值功率。 用调Q或锁模技术可使激光器在毫微秒(ns)或微微秒(ps)的极短时间内释放原来用数毫秒释放的能量,可获得兆瓦级峰值功率。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;  固体基质材料可粗略分为晶体和玻璃两大类。   要求:具备清晰的荧光线、强的吸收带及相当高的量子效率,优良的光学、热学性能和机械性能。   晶体质量,对光学损伤或机械损伤的抵御能力、化学稳定性等也至关重要。   (1) 离子大小:晶体的晶格格点必须与激活离子的大小相当。在离子晶体中,离子半径之差大于15%就不能直接掺入1%以上的激活离子。但用稀土激活的晶体激活离子的掺入量可大于1%。   ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*

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