GaN半导体材料综述--功能纳米材料.docx

GaN半导体材料综述 课程名称: 纳米功能材料与器件 学生姓名: XX 学 院: 新材料技术研究院 学 号: XXXX 班 级: XXXX 任课老师: 顾有松 评 分: 2015-12 目录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc438225880 1 前言  PAGEREF _Toc438225880 \h 1  HYPERLINK \l _Toc438225881 2 GaN材料的性能研究  PAGEREF _Toc438225881 \h 1  HYPERLINK \l _Toc438225882 2.1 物理性质  PAGEREF _Toc438225882 \h 1  HYPERLINK \l _Toc438225883 2.2 化学性质  PAGEREF _Toc438225883 \h 2  HYPERLINK \l _Toc438225884 2.3 电学性质  PAGEREF _Toc438225884 \h 2  HYPERLINK \l _Toc438225885 2.4 光学性质  PAGEREF _Toc438225885 \h 2  HYPERLINK \l _Toc438225886 3 GaN材料的制备  PAGEREF _Toc438225886 \h 3  HYPERLINK \l _Toc438225887 3.1 金属有机化学气相外延技术(MOCVD)  PAGEREF _Toc438225887 \h 3  HYPERLINK \l _Toc438225888 3.2 分子束外延(MBE)  PAGEREF _Toc438225888 \h 3  HYPERLINK \l _Toc438225889 3.3 氢化物气相外延(HVPE)  PAGEREF _Toc438225889 \h 4  HYPERLINK \l _Toc438225890 4 GaN材料的器件构建与性能  PAGEREF _Toc438225890 \h 5  HYPERLINK \l _Toc438225891 4.1 GaN基发光二极管(LED)  PAGEREF _Toc438225891 \h 5  HYPERLINK \l _Toc438225892 4.2 GaN基激光二极管(LD)  PAGEREF _Toc438225892 \h 6  HYPERLINK \l _Toc438225893 4.3 GaN基电子器件  PAGEREF _Toc438225893 \h 7  HYPERLINK \l _Toc438225894 4.4 GaN基紫外光探测器  PAGEREF _Toc438225894 \h 7  HYPERLINK \l _Toc438225895 5 结论  PAGEREF _Toc438225895 \h 7  HYPERLINK \l _Toc438225896 参考文献  PAGEREF _Toc438225896 \h 8 PAGE \* MERGEFORMAT8 前言 继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。 作为第三代半导体的典型代表，GaN材料是一种直接带隙以及宽带隙半导体材料。室温下其禁带宽度为3.4eV，具有高临界击穿电场、高电子漂移速度、高热导、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优良特性，是制作短波长发光器件、光电探测器以及高温、高频、大功率电子器件的理想材料。随着纳米技术的发展，III族氮化物一维纳米结构在发光二极管、场效应晶体管以及太阳能电池领域都具有极大的潜在应用。进入20世纪90年代以后，由于一些关键技术获得突破以及材料生长和器件工艺水平的不断提高,使GaN材料研究空前活跃，GaN基器件发展十分迅速。基于具有优异性质的纳米尺寸材料制造纳米器件是很有意义的，GaN纳米结构特别是纳米线是满足这种要求的一种很有希望的材料[1]。 本论文主要介绍了GaN材料的性能研究、制备方法研究、器件构建与性能三个方面的内容，并最后进行了总结性阐述，全面概括了GaN